PDF《M5576》

75 80

85 % Vref_green 进入绿色模式的阈值 1.4 V Vref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 V Vref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 V ICOMP_Short COMP 引脚短路电流 测量 COMP 短路到地的 电流 0.4 mA VTH_PL 过载时的 COMP 电压 3.6 V TD_PL 过载延迟时间

80 88

96 mS ZCOMP_IN 输入阻抗

16 KΩ 电流检测输入(SEN pin) SST 软启动时间

4 ms T_blanking 前沿消隐时间

220 ns TD_OC 过载延迟时间 从过流产生到 DRV 引脚 关闭

120 ns VTH_OC 内部电流限制阈值电压与 零占空比 0.75 V Vocp_clamping SEN 电压嵌位 0.9 V M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

6 振荡器 Fosc 振荡频率 VDD=14V, COMP=3V, SEN=0.3V

60 65

70 KHZ Δf_OSC 频率抖动 +/-4 % f_shuffling 抖频

32 Hz F_Burst 跳周期模式频率

22 KHz 栅驱动 VOL 输出低电平 VDD=14V,IO=6mA

1 V VOH 输出高电平 VDD=14V,IO=5mA

6 V V_Clamping 输出钳位电压

12 V T_r 输出上升时间 1V~12V @ CL=1000pF

175 ns T_f 输出下降时间 12V~1V @ CL=1000pF

85 ns 过温保护 IOTP OTP 引脚输出电流

95 100

105 μA VOTP OTP 阈值电压 0.95

1 1.05 V VOTP_FL OTP 引脚悬空电压 2.8 V Vth_OVP 外部 OVP 阈值电压 4.0 V 应用信息 M5576 是一款高集成度、高性能、电流模式 PWM 控制芯片,离线式 AC-DC 反激拓扑结构,具备低待机 功耗和低成本优点.扩展模式大大降低了待机功耗,方案设计适应国际节能的要求. 启动电流和启动控制 M5576 上电后, 通过整流后电压为连接到 VDD 脚的接地电容充电, 当VDD 脚的电压高于 UVLO 阈 值时,芯片迅速启动.M5576 启动电流非常低,高阻值启动电阻可减少功率损耗,并能在应用中稳定可靠 的启动. 工作电流 M5576 工作电流低至 1.8mA.扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流. 软启动 M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

7 M5576 上电后, 在芯片启动期间, 内部 4ms 的软启动来降低启动时的应力. 当VDD 达到 VDD_OFF, SEN 尖峰电压由 0.15V 逐渐升高增至最大.每次重启后都会重新软启动. 频率抖动干扰的改进 M5576 集成了频率抖动(开关频率调制)功能进行扩频,最大限度地降低了 EMI 带宽,简化了系统设计. 跳周期模式操作 在轻载或空载状态,开关电源的功耗来源于开关 MOSFET 的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗,功 率损耗的大小在于开关频率的比例.较低的开关频率,能降低功率损耗,从而节约了能源. 开关频率在空载或轻载条件下自行调节,降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率.只有当 VDD 电压下降到低于预先设定的值且 COMP 电压处在适当状态的时候, DRV 驱动才处于打开状态, 否则, DRV 驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗. 振荡器 开关频率固定在 65kHz ,PCB 设计简化. 电流检测和前沿消隐 M5576 是电流模式 PWM 控制,提供逐周期电流限制.开关电流是通过一个电阻接到 SEN 引脚来检测. 内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率 MOSFET 的初始状态,由于缓冲二极管反向恢复电流和 DRV 功率 MOSFET 浪涌电流造成的检测电压尖峰, 导致电流限制比较器被屏蔽, 无法关断功率 MOSFET. PWM 的占空比是由 SEN 电流检测输入电压和 COMP 输入电压计算确定的. 内部同步斜坡补偿 内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入 SEN 引脚输入电压来帮忙生成 PWM 信号,它大大提高了在 CCM 下的闭环稳定性,防止次谐波振荡,从而降低输出纹波电压. 驱动 功率 MOSFET 是由专用 DRV 驱动功率开关驱动控制. DRV 驱动强度越弱, 功率管的导通损耗和 MOSFET 开关损耗就越大;