PDF《M5576》

而DRV 驱动越强,直接影响 EMI 性能. 一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计,适当的驱动能力和 DRV 设计合适的死区时间来实 现控制.通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的. 保护控制 M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

8 好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能,包括逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP) 和VDD 的欠压保护(UVLO);

无锁存关闭功能还包括过温保护(OTP),固定或可调的 VDD 电压保护 (OVP).在全电范围内,OCP 被补偿后达到恒定输出功率. 在过载条件下,当COMP 输入电压超过 TD_PL 功率极限阈值时,控制电路会关闭转换器.只有在输入电 压低于阈值功率极限后才重新启动. M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

9 SOT-23-6 封装外形尺寸图 丝印描述 项目 尺寸(MM) 尺寸(英寸) 最小 最大 最小 最大 A 1.050 1.250 0.041 0.049 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 1.050 1.150 0.041 0.045 b 0.300 0.400 0.012 0.016 c 0.100 0.200 0.004 0.008 D 2.820 3.020 0.111 0.119 E 1.500 1.700 0.059 0.067 E1 2.650 2.950 0.104 0.116 e 0.950TYP 0.037TYP e1 1.800 2.000 0.071 0.079 L 0.700REF 0.028REF L1 0.300 0.600 0.012 0.024 θ

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00 80 型号 封装 描述 M5576SR SOT-23-6 3000/Ree l M5576 高性能电流模式 PWM 控制器 M5576_V1.0 www.mjic.hk

10 DIP8 封装外形尺寸图 丝印描述 型号 封装 描述 M5576PR DIP8 2000PCS/盒,管装