PDF《AT8840》

0 时,H 桥被禁止,这样防止反向电流流通.快衰减电流路径在下图的示例

2 表示. 在慢衰减模式,通过使能两路低压侧的 FET,使得桥臂电流续流,下图示例

3 表示了慢衰减的电流路径. Page

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14 V1.0 AT8840 单通道刷式 DC 电机驱动芯片 衰减模式 AT8840 支持快衰、慢衰和混合衰减,由DECAY 的输入状态决定:逻辑低电平选择慢衰减;

开路选择混合 衰减;

高电平选择快衰减.DEACY 管脚内置 130KΩ 的上拉电阻和 80KΩ 的下拉电阻.所以当 DECAY 管脚开 路或者不使用时,默认的衰减方式是混合衰减. 在混合衰减模式,开始是快衰减,经过一段固定关闭时间(PWM 周期的 33%),开启慢衰减,直至 PWM 周期结束. nSLEEP、nRESET Operation nRESET 管脚输入低电平时,芯片复位内部逻辑,同时禁止 H 桥,所以逻辑输入是被忽略的. nSLEEP 管脚输入为低电平时,器件将进入休眠模式,从而大大降低器件空闲的功耗.进入休眠模式后,器 件的 H 桥被禁止,电荷泵电路停止工作,V3P3 输出被禁止,同时内部所有时钟也是停止工作的,所有的逻辑输 入都被忽略.当其输入翻转为高电平时,系统恢复到正常的操作状,为了内部电荷泵恢复稳定工作,在SLEEP 恢复高电平并延时 200us 后再进行正常操作. 保护电路 AT8840 有过流保护,过温保护和欠压保护. 过流保护 (OCP) 在每一个 FET 上有一个模拟电流限制电路,此电路限制流过 FET 的电流,从而限制门驱动.如果此过流 模拟电流维持时间超过 OCP 脉冲时间,H 桥内所有 FET 被禁止,nFAULT 管脚输出一个低电平脉冲.若要恢 复正常工作,需RESET 一下或者 SLEEP 一下或者重新上电. H 桥上臂和下臂上的过流条件是被独立检测的.对地短路,对VM 短路,和输出之间短路,都会造成过流 关闭.注意,过流保护不使用 PWM 电流控制的电流检测电路,所以过流保护功能不作用与 xISEN 电阻. 过温保护 (TSD) 如果结温超过安全限制阈值,H 桥的作用 FET 被禁止,nFAULT 管脚输出低电平.一旦结温降到一个安全 水平,所有操作会自动恢复正常. 欠压锁定保护(UVLO) 在任何时候,如果 VM 管脚上的电压降到低于欠压锁定阈值,内部所有电路会被禁止,内部所有复位.当VM 上的电压上升到 UVLO 以上,所有功能自动恢复.nFAULT 管脚输出低电平当欠压情况出现时. Page

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14 V1.0 AT8840 单通道刷式 DC 电机驱动芯片 电路应用信息 单路刷式 DC 大电流电机控制 REF、RS、I1-I0,设定 PWM 电流限制,来限制直流有刷电机启动或者堵转时候的最大电流.请合理选择 RS 电阻的封装,以免烧坏此电阻. IPEAK=VREF/(5*RS), 当I1-I0 都为

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14 V1.0 AT8840 单通道刷式 DC 电机驱动芯片 版图注意事项 PCB 板上应覆设大块的散热片,地线的连接应有很宽的地线覆线.为了优化电路的电特性和热参数性能, 芯片应该直接紧贴在散热片上. 对电极电源 VM,应该连接不小于 47uF 的电解电容对地耦合,电容应尽可能的靠近器件摆放. 为了避免因高速 dv/dt 变换引起的电容耦合问题,驱动电路输出端电路覆线应远离逻辑控制输入端的覆线. 逻辑控制端的引线应采用低阻抗的走线以降低热阻引起的噪声. 地线设置 芯片所有的地线都应连接在一起,且连线还应改尽可能的短.一个位于器件下的星状发散的地线覆设,将 是一个优化的设计. 在覆设的地线下方增加一个铜散热片会更好的优化电路性能. 电流取样设置 为了减小因为地线上的寄生电阻引起的误差,马达电流的取样电阻 RS 接地的地线要单独设置,减小其他因 素引起的误差.单独的地线最终要连接到星状分布的地线总线上,该连线要尽可能的短,对小阻值的 Rs,由于 Rs 上的压降 V=I*Rs 为0.5V,PCB 上的连线压降与 0.2V 的 电压将显得不可忽视,这一点要考虑进去. PCB 尽量避免使用测试转接插座,测试插座的连接电阻可能会改变 Rs 的大小,对电路造成误差.Rs 值的 选择遵循下列公式: Rs=0.5/ITRIP max 热保护 当内部电路结温超过 165℃时,过温模块开始工作,关断内部多有驱动电路.过温保护电路只保护电路温度 过高产生的问题,而不应对输出短路的情况产生影响.热关断的阈值窗口大小为 45℃. Page