PDF《Sputtering Operation manual 一,系统初始化》

Sputtering Operation manual 一,系统初始化 1.

打开循环水. (注意观察水路,磁控溅射和 RIE 是串联关系) 2. 打开房间门口处控制磁控溅射电源的总开关. (左边单独的为控制 RIE 和磁控溅射的 总开关,右边中间为磁控溅射的电源开关,两个同事打开才有电) 3. 打开仪器上总电源开关,电脑会自动运行,签入. 4. 打开真空计,分子泵的实体开关,点击 Part Process -> Start Up,便可等待分子泵

2 启动(分子泵转速将会先下降后逐渐上升,等待分子泵转速到达 400,时间比较慢,可 同时进行下一步) 5. 在确认 V6 没有打开的前提下, 打开 V4, 对传送室进行充气, 充气完成后, 打开盖, 取下样品托, 固定样品后, 放入样品托, 盖上盖子, 电点击 Exist, 打开 Oil Pump,V3B 阀, 开始对传送室抽真空.待真空度低于达 5Pa 后,先开分子泵 1,待其稍微转起来后,关V3B 和Oil Pump,开V3C. (注意:V3B 和V3C 禁止同时打开,V4 与V6 禁止同时打开!) 6. 待分子泵

2 转速到达

400 后,关闭 V2,让分子泵空转,打开 V3,让机械泵抽反应 腔,这个过程要保证分子泵转速无下降.反应腔抽至几 Pa 后,打开 V2,让机械泵抽分 子泵,再打开 V6,抽反应腔. (注意:打开 V3 时,V6 与V2 必须同时关闭!) 二,清洗基底 1. 打开射频总电源,打开射频开关,通入一定 Ar,使其在传输腔保持一定压强,在一 定射频功率下,反溅射基地表面一定时间,清洗样品.具体条件及清洗效果因基底不同 而不同,可自行摸索. 比如:通入

4 sccm Ar,然后迅速打开 VG4,VG1 (若不打开,因流量达不到 4,则可能 会报警),点击 RF 电源标志,输入 40W,20S,闭合 RF0 线路,再次点击 RF 电源标志,使其 变绿,则反溅开始,并自动计时.在传送室应该能看到紫色辉光. 清洗完毕后,把流量设置为 0,并关闭 V4G,VG1.清洗结束. 三,传送样品并镀膜 1, 点击传送室和反应室之间的挡板,则其开始闪烁并打开.点击传送杆,再点击 Mechanical Arm Transfer Sample,则机器开始自动传送样品至反应室.待杆子收回,并有 红点稳定后,表示传送完毕. 2, 等待真空 3, 达到所需真空度后,则开始镀膜.以镀 Nb 为例,条件为 DC 120W 360S 0.5Pa(每个 人对薄膜要去均不同,具体条件自行可摸索). 打开直流 DC 电源旋钮,点击设置 Ar 气体流量

4 sccm,迅速点开 VG4,VG2 . 打开Pressure Control,点击 SV,设置压强为 0.5Pa,则仪器开始自行调节挡板角度稳定压强至 0.5Pa.压强稳定后,点击 DC 电源标志,设置 120W,360S.点击样品托标志,则可设 置样品旋转速度. 因为靶材

3 为SiO2,靶材

2 为Nb,靶材

1 为Ti,靶材

4 为Cu,所以我们点击 DC2 线路闭合,然后再点击 DC 电源标志,使其变绿,则可在观察窗里看到紫色的辉光.因 靶材前面挡板并没有打开,现在溅射只是清洗靶材.待靶材清洗一定时间后,点击 D2, 则靶材前面的挡板被打开,溅射计时则开始. 镀膜完毕后,断开 DC2 线路,关闭旋转,设置流量 SV 为0,迅速关闭 VG4 和VG2. 镀膜完毕 四,取样 点击挡板阀, 使其闪烁并打开. 点击传送杆, 选择 Mechanical Arm Get Out Sample. 完 成之后关闭 V3C,关闭分子泵 1,关闭 V6,打开 V4,则开始充气.完成后打开盖子,取 出样品托,取下样品,放入样品托,盖上盖,点击 None. 打开 Oil Pump 和V3B 阀门,稍微抽一下传送室真空.再打开 V6,抽一下反应室真 空.使其到-3Pa 量级即可. 五,关机 1, 点击 Part Process,选择 Shut Down.则分子泵和机械泵自动关闭.等待分子泵转 速到达