编辑: 被控制998 2018-12-10

5 铁电薄膜[11 ,12 ] 它可用作半导体存储器及存储器电容材料 , 近几年受到极大重视. 铁电存储器研制成功 ,是 继高 Tc 超导瓷后 ,第二个对电子工业有重大作 ・

0 2

7 ・ 物理 用的钙钛矿结构材料. 它的特点为 :可随机存取 , 不易失除 ,不用电源 ,可永久存储 ,工作温区宽 ( -

50 ℃―+

150 ℃ ) ,抗辐射 ,易屏蔽磁场 ,快速 写入读出 ,存入容量大( >

106 位) ,开关耐久性满 足使用要求 (1010 ―

1011 读写次) ,功耗低 ,价廉. 但在抗疲劳、 信息保留特性、 耐久、 保存性、 工艺 集成等方面尚待改进 ,尤其是抗疲劳性差 (它和 材料中缺陷或氧空位有关) ,是投入实用的最大 障碍 ,应想办法解决. 它在商用、 家用计算机 (信 用卡) ,空间技术 ,通信 ,汽车 ,电子等方面均有应 用 ,可用作微型驱动器、 光波导、 光调制、 动态随 机存取存储器、 电容、 热电、 表面波器片、 神经器 件等. 近3年来 ,世界产值达

10 亿美元以上. 导 弹在飞行中受电磁干扰 ,防干扰费用大 ,用铁电 存储器可使费用减少为 1/ 1000. 人工神经网络 为新兴学科 ,铁电存储器可制造神经元器件 ,将 最有希望满足该学科需要. 成膜工艺有溶胶法、 溅射及 MOCVD. 材料主要有 PZT , PLZT , PT , SrTiO3 ,BaSrTiO3 ,YI(含Bi 层状结构材料) 等. 膜........

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