PDF《情况相比 ,分别为 5 倍和 10 倍.由此可见 ,DO E》

5 种淀积铜的工艺 , 即:PVD ,CVD ,电离 PVD ,电镀和化学镀. 目前 还很难说哪种工艺最好. IBM 采用的电镀工 ・

6 6

3 ・ 物理 图3CMOS 7S 工艺制作的六层铜连线 艺 ,要求在阻挡层之上淀积约 500! 厚的铜籽 晶层. 通常 ,籽晶层是用 PVD 法淀积的 ,人们也 在研究用 CVD 法淀积铜籽晶层. 有厂商计划于

1 999年推出用于淀积阻挡层和铜籽晶层的新 设备. 估计第一个用这种设备实现的阻挡层/ 籽 晶层工艺将是 PVD 钽和 CVD 铜工艺.

4 结论 最佳 IC 连线系统是铜/ 低介电常数介质连 线系统 ,与传统的铝/ 二氧化硅连线系统相比 , 它有如下优点 :金属连线层数目少 ;

芯片速度 高、 功耗低 ;

制造成本低 ;

耐电迁移性能好、 芯片 可靠性高. IBM ,Motorola , TI 等公司已于

1998 年将铜连线技术应用到微处理器、 SRAM 和DSP(数字信号处理器) ,预计今年将会扩展到 其他应用领域. 参考文献[1]Geppert L. IEEE Spectrum ,1998 ,35 :23 ―

25 [

2 ] Singer P. Semiconductor International ,1998 ,21 (6) :91 ―

98 [

3 ] Laura P. Semiconductor International ,1998 ,21 (5) :15 ―

19 (上接第

384 页)

3117 功能纳米准一维结构制备和研究 在制备纳米碳管技术的基础上 ,发展出一类制备 纳米尺度的半导体、 半金属细丝 (包括实心的和空心 的) 技术 ,并作相应的研究 ,研究内容包括 : (1) 发展制备纳米尺度半导体、........