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1 高纯硅料 10N t/a 0.165 外购

2 高纯碳粉 99.995 t/a 0.33 外购

3 石墨制品 德国进口 套/a

375 外购

4 石英制品 302/423 支/a

100 外购

5 籽晶

4 寸t/a 0.005 外购

6 氩气

175 升/罐m3 /a 0.525 外购 (2)水源及水平衡

(一)给水工程: 本项目厂区用水主要为员工生活用水和冷却循环用水由所在厂区现有供水系统 供给. ①水制备用水 根据建设单位提供资料,项目本阶段制水设备用水约 0.4m3 /d(120m3 /a),其中 包括制备新水用水和设备定期反冲洗用水,新水由离子交换纯水机制备,本项目纯 水制备新水约 0.25m3 /d(75m3 /a),制得纯水用于设备冷却用水;

设备定期反冲洗用 水约 0.15m3 /d(45m3 /a). ②员工生活用水 本项目现有员工

20 人,员工生活用水量约为 2m3 /d,年用水量约为 600m3 .

(二)排水工程 企业厂区根据用水性质不同,采用雨、污水分流,雨水收集后排至市政雨水管 网. 本项目外排废水主要为纯水设备定期反冲洗废水和生活污水,其中生活污水主 要是职工盥洗、如厕等产生的污水. ①纯水设备定期反冲洗废水约 0.15m3 /d(45m3 /a),为清净下水,经化粪池沉淀 后排入市政污水管网;

②项目生活污水排放量约 1.4m3 /d(420m3 /a). 纯水设备定期反冲洗废水为清净下水和生活污水一起,经厂区内化粪池处理达 -

6 - 到天津市《污水综合排放标准》(DB12/356-2018)三级标准后,经市政污水管网排 入华明高新区污水处理厂集中处理. 本项目给排水平衡见图 2-1 0.25 纯水制备 0.4 0.25 冷却用水 华明高新区污水处理 厂2.4

2 1.55 新鲜水 0.6 1.4 生活用水 化粪池 0.15 图2-1 水量平衡图(单位:m3 /d) 主要工艺流程及产污环节(附处理工艺流程图,标出产污节点): 本项目碳化硅晶体生产采用当前标准的生长技术―高温升华法(PVT 法). 将作为生长源的高纯粉料置于石墨坩埚底部,籽晶固定在石墨坩埚的顶部,通 过对石墨坩埚进行加热,并调节坩埚与线圈的相对位置使生长源的温度高于籽晶的 温度,生长源在高温下升华分解生成气态物质,通过生长源与籽晶之间存在的温度 梯度所形成的压力梯度驱动,这些气态物质被运输到低温的籽晶表面,结晶形成第 三代半导体晶体. 本项目 4-6 寸碳化硅晶体工艺流程如下所示: 图2-2 4-6 寸碳化硅晶体工艺流程 工艺流程简述: (1)根据客户提出的订货要求,外购原材料,原料为真空封装,将装着原料的 封装袋、籽晶和坩埚一起放进碳化硅晶体生长炉上的手套箱,操作手套箱,使手套 箱处于真空封闭状态,然后打开封装袋,将粉料倒至石墨坩埚底部,此时手套箱内 处于真空封闭状态,故不会产生粉尘. 安装坩埚 抽真空 安装籽晶 原材料准备 生长结束 减压降温 晶体生长 加热 -

7 - (2)安装坩埚:手套箱内操作,将手套箱和碳化硅晶体生长炉之间的连接端打 开,再将碳化硅晶体生长炉的上盖打开将坩埚放至碳化硅晶体生长炉内. (3)安装籽晶:手套箱内操作,将籽晶固定在石墨坩埚的顶部. (4)抽真空:将碳化硅晶体生长炉内空气抽出,使生长炉内部处于负压状态, 然后将惰性气体通入碳化硅晶体生长炉中. (5)加热:对坩埚进行电加热,温度约为 180℃. (6)晶体生长:每台晶体生长炉生长时间为

15 天,在晶体生长过程中,晶体 生长单晶炉运行期间密封,不会产生废气. (7)减压降温:将碳化硅晶体生长炉进行排气降压,使用纯水对设备进行间接 冷却,冷却水通过管道循环使用. (8)生长结束,进入成品库或展厅. -