PDF《S-5743 A系列》

S-5743 A系列 www.

ablic.com 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC ? ABLIC Inc., 2015-2019 Rev.1.4_00

1 本IC是采用CMOS技术开发的可在高温环境下工作、高耐压的高精度霍尔效应IC. 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化.通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测. 本IC内置输出电流限制电路. 由于采用了小型的SOT-23-3S封装,因此可高密度安装. 本IC因具备高精度磁特性,工作偏差可变少. 本公司可根据用户的机械构造推荐磁石与本公司霍尔效应IC的最佳组合,为用户提供 磁力模拟分析服务 .通过灵活应用此 磁力模拟分析服务,可削减试产次数、开发周期和开发费用,为实现最优化产品更高的性能价格比做出贡献.有关磁力模拟 分析服务的实施详情,请向本公司营业部咨询. ? 特点 ? 极性检测 : 交变检测 ? 输出逻辑*1 : 检测S极时VOUT = L 检测S极时VOUT = H ? 输出方式 : N沟道开路漏极输出 ? 磁性灵敏度*1 : BOP = 0.5 mT (典型值) BOP = 1.5 mT (典型值) BOP = 2.2 mT (典型值) BOP = 3.0 mT (典型值) ? 斩波频率 : fC =

500 kHz (典型值) ? 输出延迟时间 : tD = 8.0 μs (典型值) ? 电源电压范围 : VDD = 2.7 V ~ 26.0 V ? 内置稳压器 ? 内置输出电流限制电路 ? 工作温度范围 : Ta = ?40°C ~ +125°C ? 无铅 (Sn 100%)、无卤素 *1. 可以选项. ? 用途 ? 电动工具 ? 家用电器产品 ? DC无刷电动机 ? 住宅设备 ? 各种产业设备 ? 封装 ? SOT-23-3S 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5743 A系列 Rev.1.4_00

2 ? 框图 OUT VDD VSS *1 稳压器 输出电流限制电路 斩波 放大器 *1. 寄生二极管 图1 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.1.4_00 S-5743 A系列

3 ? 产品型号的构成 1. 产品名 S-5743 N B x x A - M3T4 U 环保标记 U : 无铅 (Sn 100%)、无卤素 封装简称和IC的包装规格 *1 M3T4 : SOT-23-3S、卷带产品 工作温度 A : Ta = ?40°C ~ +125°C 磁性灵敏度

9 : BOP = 0.5 mT (典型值)

0 : BOP = 1.5 mT (典型值)

8 : BOP = 2.2 mT (典型值)

1 : BOP = 3.0 mT (典型值) 输出逻辑 L : 检测S极时VOUT = L H : 检测S极时VOUT = H 极性检测 B : 交变检测 输出方式 N : N沟道开路漏极输出 *1. 请参阅卷带图. 2. 封装 表1 封装图纸号码 封装名 外形尺寸图 卷带图 带卷图 SOT-23-3S MP003-D-P-SD MP003-D-C-SD MP003-D-R-SD 3. 产品名目录 表2 产品名 输出方式 极性检测 输出逻辑 磁性灵敏度 (BOP) S-5743NBL9A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 0.5 mT (典型值) S-5743NBL0A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 1.5 mT (典型值) S-5743NBL8A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 2.2 mT (典型值) S-5743NBL1A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = L 3.0 mT (典型值) S-5743NBH9A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = H 0.5 mT (典型值) S-5743NBH1A-M3T4U N沟道开路漏极输出 交变检测 检测S极时VOUT = H 3.0 mT (典型值) 备注 如果需要上述以外的产品时,请向本公司营业部咨询. 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5743 A系列 Rev.1.4_00

4 ? 引脚排列图 1. SOT-23-3S

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1 Top view 表3 引脚号 符号 描述

1 VSS GND端子

2 VDD 电源端子

3 OUT 输出端子 图2 ? 绝对最大额定值 表4 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C) 项目 符号 绝对最大额定值 单位 电源电压 VDD VSS ? 0.3 ~ VSS + 28.0 V 输出电流 IOUT

20 mA 输出电压 VOUT VSS ? 0.3 ~ VSS + 28.0 V 工作环境温度 Topr ?40 ~ +125 °C 保存温度 Tstg ?40 ~ +150 °C 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值.万一超过此额定值,有可能造成产品劣化等 物理性损伤. ? 热敏电阻值 表5 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 结至环境热阻 *1 θJA SOT-23-3S Board A ?

200 ? °C/W Board B ?

165 ? °C/W Board C ? ? ? °C/W Board D ? ? ? °C/W Board E ? ? ? °C/W *1. 测定环境 : 遵循JEDEC STANDARD JESD51-2A标准 备注 关于详情,请参阅 ? Power Dissipation 和 Test Board . 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.1.4_00 S-5743 A系列

5 ? 电气特性 表6 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS =

0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定 电路 电源电压 VDD ? 2.7 12.0 26.0 V ? 消耗电流 IDD 平均值 ? 3.0 4.0 mA

1 输出电压 VOUT IOUT =

10 mA ? ? 0.4 V

2 泄漏电流 ILEAK 输出晶体管N沟道, VOUT = 26.0 V ? ?

1 μA

3 输出限制电流 IOM VOUT = 12.0 V

22 ?

70 mA

3 输出延迟时间 tD ? ? 8.0 ? μs ? 斩波频率 fC ? ?

500 ? kHz ? 启动时间 tPON ? ?

20 ? μs

4 输出上升时间 tR C =

20 pF, R =

820 Ω ? ? 2.0 μs

5 输出下降时间 tF C =

20 pF, R =

820 Ω ? ? 2.0 μs

5 BOP BRP 本IC所接受的 磁束密度 (B)

0 输出电压 (VOUT) (检测S极时 VOUT = H 产品) 输出电压 (VOUT) (检测S极时 VOUT = L 产品) S极 N极 90% 10% 90% 10% tD tF tD tR tD tR tD tF 图3 工作时序 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5743 A系列 Rev.1.4_00

6 ? 磁特性 1. BOP = 0.5 mT (典型值) 产品 表7 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS =

0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? ?0.5 0.5 1.5 mT

4 复位点 *2 N极BRP ? ?1.5 ?0.5 0.5 mT

4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 1.0 ? mT

4 2. BOP = 1.5 mT (典型值) 产品 表8 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS =

0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 0.5 1.5 2.5 mT

4 复位点 *2 N极BRP ? ?2.5 ?1.5 ?0.5 mT

4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 3.0 ? mT

4 3. BOP = 2.2 mT (典型值) 产品 表9 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS =

0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 1.2 2.2 3.2 mT

4 复位点 *2 N极BRP ? ?3.2 ?2.2 ?1.2 mT

4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 4.4 ? mT

4 4. BOP = 3.0 mT (典型值) 产品 表10 (除特殊注明以外 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS =

0 V) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定电路 工作点 *1 S极BOP ? 2.0 3.0 4.0 mT

4 复位点 *2 N极BRP ? ?4.0 ?3.0 ?2.0 mT

4 滞后幅度 *3 BHYS BHYS = BOP ? BRP ? 6.0 ? mT

4 *1. BOP : 工作点 指本IC所接受的由磁石 (S极) 产生的磁束密度增强 (靠近磁石) 时,输出电压 (VOUT) 切换时的磁束密度的值. 直至施加比BRP更强的N极磁束密度为止,VOUT会维持现状. *2. BRP : 复位点 指本IC所接受的由磁石 (N极) 产生的磁束密度增强 (靠近磁石) 时,输出电压 (VOUT) 切换时的磁束密度的值. 直至施加比BOP更强的S极磁束密度为止,VOUT会维持现状. *3. BHYS : 滞后幅度 指BOP与BRP之间的磁束密度的差值. 备注 按照1 mT =

10 Gauss的公式换算磁束密度的单位mT. 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.1.4_00 S-5743 A系列

7 ? 测定电路 S-5743 A系列 VDD VSS OUT A R

820 Ω S-5743 A系列 VDD VSS OUT A V 图4 测定电路1 图5 测定电路2 VDD VSS OUT A V S-5743 A系列 S-5743 A系列 VDD VSS OUT V R

820 Ω 图6 测定电路3 图7 测定电路4 S-5743 A系列 VDD VSS OUT R

820 Ω V C

20 pF 图8 测定电路5 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC S-5743 A系列 Rev.1.4_00

8 ? 标准电路 S-5743 A系列 VDD VSS OUT CIN R

820 Ω 0.1 μF 图9 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据.实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设定参数. 工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔效应IC Rev.1.4_00 S-5743 A系列

9 ? 工作说明 1. 施加磁束方向 本IC可针对标记面检测出垂直方向的磁束密度. 图10表示施加磁束的方向. S N 标记面 图10 2. 霍尔传感器位置 图11表示霍尔传感器的位置. 霍尔传感器的中心位置如下图所示,处于封装中央的标有圆形标记的范围内. 另外,还标示出从封装的标记面到芯片表面的典型值距离.

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2 3 霍尔传感器的中心 (φ0.3 mm 内) 0.315 mm (典型值) 图11 工作温度125°C 高耐压 高........