编辑: sunny爹 2019-07-03
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12 09/2017, V0.

1 AT8870 单通道刷式直流电机驱动芯片 典型应用原理图 描述 AT8870是一款刷式直流电机驱动器, 适用于打印机、 电器、 工业设备以及其他小型机器.两个逻辑输入控制H桥驱动器,该 驱动器由四个N-MOS组成,能够以高达3.6A的峰值电流双向控 制电机. 利用电流衰减模式, 可通过对输入进行脉宽调制(PWM) 来控制电机转速. 如果将两个输入均置为低电平, 则电机驱动器 将进入低功耗休眠模式. AT8870集成电流限制功能, 该功能基于模拟输入VREF 以及 ISEN 引脚的电压.该器件能够将电流限制在某一已知水平,这 可显著降低系统功耗要求,并且无需大容量电容来维持稳定电 压,尤其是在电机启动和停转时. 内部关断功能包含过流保护, 短路保护, 欠压锁定和过温保护. AT8870提供一种带有裸露焊盘的SOP-8封装, 能有效改善散热 性能,且是无铅产品,引脚框采用100%无锡电镀. 应用 ? 打印机及办公自动化设备 ? 电器 ? 机器人 ? 工业设备 型号选择 产品型号 封装 包装 AT8870 SOP8-PP 料管,100颗/管;

卷带,5k/盘 特点 单通道H桥电流控制电机驱动器 宽电压供电,6.5V-38V 低RDS(ON)电阻 3.6A峰值驱动输出,2A持续输出能力 PWM电流整流/限流 支持低功耗休眠模式 过温关断电路 短路保护 欠压锁定保护 自动故障恢复 封装形式 SOP8 with PAD Page

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12 09/2017, V0.1 AT8870 单通道刷式直流电机驱动芯片 版本更新记录 日期 版本 内容 2017.09 V0.1 初始版本 Page

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12 09/2017, V0.1 AT8870 单通道刷式直流电机驱动芯片 功能结构框图 Page

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12 09/2017, V0.1 AT8870 单通道刷式直流电机驱动芯片 电路工作极限 at Ta = 25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit 功率电源 VM -0.3 C

40 V 输出峰值电流 IPEAK ±3.6 A 逻辑输入电压 VIN -0.7 to

7 V Sense 电压 VSENSE -0.3 to 0.5 V 工作温度 TA Range S -40 to

85 °C 最大结温 TJ(max)

150 °C 储藏温度 Tstg -55 to

150 °C 推荐工作条件 at Ta = 25°C Min NOM Max Unit 功率电源 VM 6.5 -

38 V 连续输出电流 IOUT

0 2 A 峰值输出电流 IPEAK

0 3.6 A 逻辑输入电压 VIN

0 - 5.75 V 逻辑输入频率 fPWM

0 100 kHZ 参考电压 VREF 0.5

5 V (1) 芯片大电流工作时,做好芯片散热. Page

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12 09/2017, V0.1 AT8870 单通道刷式直流电机驱动芯片 电特性 at Ta = 25°C, VM=

24 V PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT POWER SUPPLY IVM VM 静态工作电流 fPWM <

50 kHz

4 10 mA IVMQ VM 休眠电流 IN1=IN2=L

10 20 uA VUVLO VM 欠压锁定值 VM rising 6.3 6.5 V VHYS VM 欠压迟滞

200 mV tON 开启时间 VM>

VUVLO, and IN1 or IN2 high LOGIC-LEVEL INPUTS VIL 逻辑输入低电压 0.5 0.7 V VIH 逻辑输入高电压 1.5 5.25 V VHYS 逻辑输入迟滞 0.45 V IIL 逻辑输入电流_低电平 VIN =

0 -20

20 uA IIH 逻辑输入电流_高电平 VIN = 3.3 V

100 uA Rpd 输入内部下拉电阻 Other

100 kΩ tDEG 输入防抖动延迟

450 ns tSLEEP 进入 SLEEP 状态延迟

1 1.5 ms H-BRIDGE FETS RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 I O = 1A,TJ = 25°C

200 mΩ 低侧 FET 导通电阻 I O = 1A,TJ = 25°C

150 IOFF 输出关断漏电流 -1

1 uA MOTOR DRIVER toFF 电流衰减时间 Internal PWM OFF-TIME

28 us tR 上升时间 VM =24V, 22Ω to GND, 10% to 90%

180 ns tF 下降时间 VM =24V, 22Ω to GND, 10% to 90%

150 ns tDEAD 死区时间

500 ns AISEN ISEN 电流增益

10 V/V tBLANK 消隐时间

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