PDF《S-T111系列》

7 ? 测定电路 1. VSS VOUT ON/OFF VIN V A 设定为ON ? ? 图4 2. VSS VOUT ON/OFF VIN 设定为VIN或GND A 图5 3. VSS VOUT ON/OFF VIN V A 设定为ON ? ? 图6 4. VSS VOUT ON/OFF VIN V A RL ? ? 图7 5. VSS VOUT ON/OFF VIN V ? 设定为ON RL 图8 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 S-T111系列 Rev.3.1_02

8 ? 标准电路 VSS VOUT ON/OFF VIN CIN *1 CL *2 输入 输出 GND 单点接地 图9 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据.实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设 定参数. ? 使用条件 输入电容器(CIN) : 大于或等于0.1 ?F 输出电容器(CL) : 大于或等于0.1 ?F 输出电容器的ESR : 小于或等于10 ? 注意 一般而言,线性稳压器有可能因所选择外接元器件的不同发生振荡.上述电容器使用前请确认在应用 电路上不发生振荡. ? 输入、输出电容器(CIN、CL)的选定 S-T111系列,因相位补偿,需要在VOUT端子?VSS端子间设置输出电容器.在全部的温度范围内,输出电 容器使用大于或等于0.1 ?F的陶瓷电容器就可以稳定工作.另外,在使用OS电容器、钽电容器或铝电解电容 器时,容量值则必须为大于或等于0.1 ?F,ESR必须小于或等于10 ?. 因输出电容值的不同,作为过渡响应特性的输出过冲值、下冲值将会发生变化.另外,输入电容器也因应用 电路的不同所需要的容量值也不同. 应用电路的推荐值为CIN?1.0 ?F,CL?0.47 ?F,在使用时,请对包括温度等特性予以充分的实测验证. *1. CIN为输入稳定用电容器. *2. CL可以使用大于或等于0.1 ?F的陶瓷电容器. 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 Rev.3.1_02 S-T111系列

9 ? 用语的说明 1. 低压差型电压稳压器 指通过内置低通态电阻晶体管来实现低压差的电压稳压器. 2. 低ESR 电容器的ESR(Equivalent Series Resistance:等效串联电阻)小.S-T111系列在输出方电容器(CL)中能够 使用陶瓷电容器等ESR较低的电容器.ESR小于或等于10 ?就可使用. 3. 输出电压(VOUT) 在输入电压*1 、输出电流、温度一定的条件下,输出电压的输出电压精度可保证为?1.0%. *1. 因产品的不同而有所差异. 注意 当这些条件发生变化时,输出电压的值也随之发生变化,有可能导致输出电压的精度超出上述范 围.详情请参阅 ? 电气特性 及 ? 各种特性数据(典型数据) . 4. 输入稳定度 ? ? ? ? ?VOUT1 ?VIN???VOUT 表示输出电压对输入电压的依存性.即,当输出电流一定时,输出电压随输入电压的变化而产生的变化 量. 5. 负载稳定度(?VOUT2) 表示输出电压对输出电流的依存性.即,当输入电压一定时,输出电压随输出电流的变化而产生的变化 量. 6. 输入输出电压差(Vdrop) 缓慢降低输入电压(VIN),当输出电压降低到VIN = VOUT(S)?1.0 V时的输出电压值(VOUT3)的98%时,输入电 压(VIN1)与输出电压的差即为输入输出电压差. Vdrop = VIN1?(VOUT3?0.98) 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 S-T111系列 Rev.3.1_02

10 7. 输出电压温度系数 ? ? ? ? ?VOUT ?Ta ??VOUT 输出电压温度系数在?100 ppm/°C时的特性,在工作温度范围内表示为如图10所示的阴影范围. VOUT(E) *1 S-T111B28的典型值产品示例 -40 +25 +0.28 mV/?C VOUT [V] *1. VOUT(E)为Ta =+25 ?C时的输出电压测定值. +85 Ta [?C] -0.28 mV/?C 图10 输出电压的温度变化?mV/°C?,按下式算出. ?VOUT ?Ta [ ] mV/°C *1 = VOUT(S) [ ] V *2 ? ?VOUT ?Ta ??VOUT [ ] ppm/°C *3 ??

1000 *1. 输出电压的温度变化 *2. 设定输出电压值 *3. 上述输出电压温度系数 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 Rev.3.1_02 S-T111系列