PDF《退火对氧化铟镓薄膜晶体管电学特性的影响》

0 升高至最高 12?

0 cm2 ?(V?s)-1 ? 亚阈值摆幅 S 由0?

58 降至最低 0?

19 V?dec-1 ? 迟滞现象减弱? 但退火也导致阈值电压 Vth 负向漂移? 当退火温度过高时? 器件处于 高导状态? 不具备开关特性? 高氧气氛退火可抑制 Vth 负向漂移? 从而在更高的温度范围内保持器件 的开关特性? 霍尔效应分析指出? 退火提高了 InGaO 薄膜的载流子浓度 Nc 和迁移率 μH? 原因可能是退火改善 了材料的晶格完整性? 促使其氧空位从低配位向高配位转化? 陷阱态转化成浅能级施主态? 此外? 高 氧退火可抑制 Nc ? 氧气退火的薄膜的 Nc 虽然比空气退火的更低? 但μH却比空气退火的略高? 这表明 氧气退火可更有效地修复产生陷阱态的氧空位缺陷? 参考文献: [1] FORTUNATO E? BARQUINHA P? MARTINS R. Oxide semiconductor thin~film transistors: a review of recent advances [J]. Adv Mater? 2012?24 (22):2 945~2 986.doi:10.1002/ adma? 201103228? [2] KWON J Y? JEONG J K? Recent progress in high performance andreliable n~type transition metal oxide~basedthin film transistors [J]. Semicond Sci Technol? 2015?30(2):024002? doi:10? 1088/........