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6 GND - 模拟电源 9,10,11 LO,1LO2,LO3 O 输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止 12,15,18 VS1,VS2,VS3 O 高端悬浮地端 13,16,19 HO1,HO2,HO3 O 输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止 14,17,20 VB1,VB2,VB3 Power 高端悬浮电源 5,7,8,21 NC - 空脚 屹晶微电子有限公司 EG2134 芯片数据手册 V1.0 三相独立半桥驱动芯片
2017 ?屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4/10 5. 结构框图 图5-1. EG2134 内部电路图 屹晶微电子有限公司 EG2134 芯片数据手册 V1.0 三相独立半桥驱动芯片
2017 ?屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5/10 6. 典型应用电路 图6-1. EG2134 典型应用电路图 7. 电气特性 7.1 极限参数 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 自举高端 VB 电源 VB
1、VB
2、VB3 - -0.3
300 V 高端悬浮地端 VS
1、VS
2、VS3 - VB-25 VB+0.3 V 高端输出 HO
1、HO
2、HO3 - VS-0.3 VB+0.3 V 低端输出 LO
1、LO
2、LO3 - -0.3 VCC+0.3 V 电源 VCC - -0.3
25 V 高通道逻辑信号 输入电平 HIN
1、 HIN
2、 HIN3 - -0.3 VCC+0.3 V 低通道逻辑信号 输入电平 LIN
1、LIN
2、LIN3 - -0.3 VCC+0.3 V 环境温度 环境温度 - -40
125 ℃ 屹晶微电子有限公司 EG2134 芯片数据手册 V1.0 三相独立半桥驱动芯片
2017 ?屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/10 储存温度 储存温度 - -55
150 ℃ 焊接温度 焊接温度 T=10S -
300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性. 7.2 典型参数 无另外说明,在TA=25℃,Vcc=12V,负载电容 CL=1nF 条件下 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源 VDD - 4.5
12 20 V 静态电流 Icc 输入悬空, VCC=12V -
1 5 uA 输入逻辑信号高 电位 Vin(H) 所有输入控制信号 2.5 - - V 输入逻辑信号低 电位 Vin(L) 所有输入控制信号 -0.3
0 1.0 V 输入逻辑信号高 电平的电流 Iin(H) Vin=5V - -
15 uA 输入逻辑信号低 电平的电流 Iin(L) Vin=0V -15 - - uA 低端输出 LO、 LO 开关时间特性 开延时 Ton 见图 7-1 -
300 400 nS 关延时 Toff 见图 7-1 -
100 200 nS 上升时间 Tr 见图 7-1 -
25 200 nS 下降时间 Tf 见图 7-1 -
20 100 nS 高端输出 HO、HO 开关时间特性 开延时 Ton 见图 7-2 -
220 400 nS 关延时 Toff 见图 7-2 -
200 400 nS 上升时间 Tr 见图 7-2 -
25 200 nS 下降时间 Tf 见图 7-2 -
20 100 nS 死区时间特性 死区时间 DT 见图 7-3, 无负载电容 CL=0
50 100
300 nS IO 输出最大驱动能力 IO 输出拉电流 IO+ Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS - +1.2 - A IO 输出灌电流 IO- Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS - -1.4 - A 屹晶微电子有限公司 EG2134 芯片数据手册 V1.0 三相独立半桥驱动芯片
2017 ?屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 7/10 7.3 开关时间特性及死区时间波形图 图7-1. 低端输出 LO 开关时间波形图 图7-2. 高端输出 HO 开关时间波形图 图7-3. 死区时间波形图 8. 应用设计 8.1 VCC 端电源电压 针对不同的MOS管, 选择不同的驱动电压, 高压开启MOS管推荐电源VDD工作电压典型值为10V-15V;
低压开启 MOS 管推荐电源 VCC 工作电压 4.5V-10V. 8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 EG2134 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥 图腾柱式输出.逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上,低电平阀值为 1.0V 以下,要求逻辑信号的输出 屹晶微电子有限公司 EG2134 芯片数据手册 V1.0 三相独立半桥驱动芯片