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300 毫米生产的新工序控制需要 毫米生产的新工序控制需要 毫米生产的新工序控制需要 毫米生产的新工序控制需要 推出自动化晶片背面检查手段 推出自动化晶片背面检查手段 推出自动化晶片背面检查手段 推出自动化晶片背面检查手段 新的背面检查模块可帮助客户消除或减少 新的背面检查模块可帮助客户消除或减少 新的背面检查模块可帮助客户消除或减少 新的背面检查模块可帮助客户消除或减少 占成品损耗 占成品损耗 占成品损耗 占成品损耗 10%以上的缺陷 以上的缺陷 以上的缺陷 以上的缺陷 加利福尼亚圣荷塞,2002 年2月4日―KLA-Tencor 公司(Nasdaq 上市代码: KLAC)今天推 出了业内第一个全自动化的适于生产的晶片背面检查系统.该系统为集成电路(IC)制造商提 供了克服芯片生产厂中每个处理模块的成品率损耗的新策略.这个新的背面检查模块 (BSIM)是特为解决需要高级设计规则和

300 毫米应用的特有工序控制设计的,它的灵敏度极 高,可以发现小到

50 纳米(nm)的微粒,能对模式生产晶片进行非破坏性检查.KLA-Tencor 去年进行的现场试验显示,背面缺陷可能占一个制造工序的基准成品率损耗的 10%DD每年因 此造成的损失高达数百万美元.BSIM 作为 KLA-Tencor 的Surfscan? SP1 晶片检测工具的一个 任选件出售.这个领域的 Surfscan SP1 工具有

600 多种,KLA-Tencor 在涂层膜和晶片检测市 场处于领先地位. 晶片背面缺陷对晶片与生产工序统一性可以产生重要影响,二者都是高级

300 毫米加工的关键 问题.KLA-Tencor 用主要的记忆和逻辑工厂进行的现场试验显示,晶片的背面几乎在每个工 序DD包括沉积、蚀刻和化学机械平面化(CMP)工序DD都会受到污染或损坏. 对用于高级

300 毫米半导体的晶片进行双面抛光,也会形成难题,因为以前隐藏在单面抛光晶 片背面的晶片图形里的缺陷在背面抛光后被带到了表面.这些缺陷在随后的光刻曝光时会使晶 片的正面变形,造成破坏成品率的散焦 IC 模式"过热点".背面缺陷还可能在前后工序之间 迁移,造成栅介电故障. "在竞争日益激烈的半导体市场里,更高更快的产出是与竞争对手区格的重要因素,因为它可以 使芯片制造商为自己的产品争取额外的利润,"加利福尼亚圣荷塞的市场调研公司DDVLSI ResearchD的业务副总裁里斯托・普哈卡(Risto Puhakka)说."在今天最先进的微处理器中, KLA-TENCOR UNVEILS NEW WAFER BACKSIDE INSPECTION TOOL……....Page

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2 一块晶片(成品)的价值超过

10 万美元,因而可以说,晶片上的每一块芯片都对最后结果有重 要影响.300 毫米的情形尤其如此.KLA-Tencor 的晶片背面检查系统,为芯片制造商进一步实现

300 毫米的经济效益提供了一种创新的新方法." 尽管背面检查十分重要,可是由于这个过程直至今天既耗费时间又可能破坏晶片,一直未得到充 分利用.为了诊断由背面缺陷引起的成品率问题,芯片制造厂的工程师们通常是通过不甚可靠的 处理工具管理产品晶片DD即用真空棒手工翻转晶片,并利用一个晶片检查系统里扫描晶片.这 些检查降低了处理工具的生产率,还彻底破坏了晶片的正面.此外,对于需要全自动工厂的

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