编辑: gracecats | 2019-07-06 |
一、生产布局与项目设立
(一)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、 环境保护、节能管理等法律法规要求,符合国家产业政策和 相关产业规划及布局要求,符合当地土地利用总体规划、城 市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求.
(二)在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人 民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保 护区、 风景名胜区、 重要生态功能保护区和生态环境敏感区 、 脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设 光伏制造项目.上述区域内的现有企业应逐步迁出.
(三)严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目.对 加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项 目,报行业主管部门及投资主管部门备案.新建和改扩建光 伏制造项目,最低资本金比例为 20%.
二、生产规模和工艺技术
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(一)光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品 质量好、生产成本低的生产技术和设备.
(二)光伏制造企业应具备以下条件:在中华人民共和 国境内依法注册成立,具有独立法人资格;
具有太阳能光伏 产品独立生产、供应和售后服务能力;
具有省级以上独立研 发机构、技术中心或高新技术企业资质,每年用于研发及工 艺改进的费用不低于总销售额的 3%且不少于
1000 万元人民 币;
申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第
(三)款产能要求的 50%.
(三)光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求: 1.多晶硅项目每期规模大于
3000 吨/年;
2.硅锭年产能不低于
1000 吨;
3.硅棒年产能不低于
1000 吨;
4.硅片年产能不低于
5000 万片;
5.晶硅电池年产能不低于 200MWp;
6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp;
7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp.
(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品 的要求;
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2μs,电阻 率在 1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于
16 和18PPMA;
单晶硅
3 片少子寿命大于 10μs,电阻率在 1-3Ω.cm,碳、氧含量分 别小于
10 和18PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于16%和17%;
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和15.5%;
5.硅基、铜铟镓硒(CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%.
(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶》 (GB/T12963)2 级品以上要求;
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2.5μs,电 阻率在 1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于
8 和6PPMA;
单晶硅 片少子寿命大于 11μs,电阻率在 1-3Ω.cm,碳、氧含量分 别小于
8 和6PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于18%和20%;