PDF《“光电子与微电子器件及集成”重点专项 2018 年度项目申报...》

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1 ― 附件

2 "光电子与微电子器件及集成"重点专项

2018 年度项目申报指南 为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006―2020 年) 》提出的任务,国家重点研发计划启动实施"光电子与微电子 器件及集成"重点专项.

根据本重点专项实施方案的部署, 现提出

2018 年度项目申报指南. 本重点专项总体目标是:发展信息传输、处理与感知的光电 子与微电子集成芯片、器件与模块技术,构建全链条光电子与微 电子器件研发体系,推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得 重大突破,改变我国网络信息领域中的核心元器件受制于人的被 动局面,支撑通信网络、高性能计算、物联网与智慧城市等应用 领域的自主可控发展,满足国家发展战略需求. 本重点专项按照硅基光子集成技术、混合光子集成技术、微 波光子集成技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和 器件工艺技术

6 个创新链(技术方向) ,共部署

49 个重点研究任 务.专项实施周期为

5 年(2018―2022 年) .

2018 年, 在6个技术方向启动26个研究任务, 拟支持35―52 个 项目,拟安排国拨经费总概算为 6.5 亿元.凡企业牵头的项目须自 筹配套经费,配套经费总额与国拨经费总额比例不低于 1:1. ―

2 ― 项目申报统一按指南二级标题(如1.1)的研究方向进行.除 特殊说明外,拟支持项目数均为 1―2 项.项目实施周期不超过

4 年.申报项目的研究内容须涵盖该二级标题下指南所列的全部内 容和考核指标.基础前沿类、共性关键技术类项目的参研单位总 数不超过

10 个,应用示范类项目的参研单位总数不超过

15 个. 项目设

1 名项目负责人,项目中每个课题设

1 名课题负责人. 指南中"拟支持项目数为 1―2 项"是指:在同一研究任务下, 当出现申报项目评审结果前两位评分相近、技术路线明显不同的 情况时,将同时支持这

2 个项目.2 个项目将采取分两个阶段支 持的方式.第一阶段完成后将对

2 个项目执行情况进行评估,根 据评估结果确定后续支持方式. 1. 硅基光子集成技术 1.1 硅基发光基础理论及器件关键技术(基础前沿类) 研究内容: 开展硅基高效发光材料的设计、 制备和器件研制, 解决硅基光子集成技术中缺乏硅基光源这一瓶颈问题.研究硅基 掺杂与缺陷调控及高效发光机理;

研究硅基纳米结构高效发光材 料与器件;

研究硅基稀土掺杂/缺陷电致发光材料及器件;

研究锗 锡Ⅳ族直接带隙发光材料能带调控和相关器件;

硅衬底上Ⅲ-Ⅴ族 等化合物半导体材料的外延生长和激光器. 考核指标:突破硅基高效发光材料和器件难题,研制出硅衬 ―

3 ― 底上的多种激光器.设计和实现基于能带工程、掺杂工程、缺陷 工程的

2 种以上新结构高效硅基发光材料;

硅基纳米结构高效发 光器件能量转移效率>65%,外量子效率>10%;

研制的硅基稀土 掺杂/缺陷电致发光器件

800 小时效率衰减小于 25%;

制备出具有 直接带隙的锗锡发光材料,实现光泵和电泵激射;

研制出硅衬底 上Ⅲ-Ⅴ族等化合物半导体激光器, 实现室温连续激射, 阈值电流 密度1Tb/s 级传输的相干光收发芯片及 模块,实现高速硅光调制器、探测器、波分复用器和偏振复用器 等多种功能元件的片上集成及模块化封装.封装后模块的模拟调 制带宽和相干接收带宽>28GHz. 收发模块误码性能、 可靠性和工 作温度应符合商用标准;