PDF《“光电子与微电子器件及集成”重点专项 2018 年度项目申报...》

光信号谱间隔600km 的应用验证.制备微米量级电光调制器,调制 速率>40Gb/s,调制器有源区尺寸120 mA/W,器件截止波 长>2.7?m;

硅基绝缘层上高迁移率 CMOS 器件集成,载流子浓 ―

7 ― 度为 3*1012 cm-3 时, 沟道载流子迁移率超过硅 CMOS 器件的

3 倍, 器件工作电压和开关比优于同等尺寸硅器件;

实现至少两种

8 英 寸硅衬底上红外光子器件与高迁移率 CMOS 器件的混合集成芯 片,速率大于

40 Gb/s,工作波长在 2?5?m;

红外激光器 5?m 室 温连续输出功率>2W、单模功率>1.5W、单模调谐范围 30nm;

5?m 单模激光器的室温连续工作阈值功耗25GHz;

最小发射光功 率>-2.8dBm/通道, 接收灵敏度10km 单模光纤无误码传输. 具备批 量生产能力,实现系统示范应用,申请发明专利

50 项以上. 2.4 面向数据中心应用的宽带光收发集成器件及模块(共性 关键技术类,拟支持两项) 研究内容:为满足多通道大容量光互连的需求,研究 4*100Gb/s 光发射与接收集成器件及模块.研究

4 通道高功率单 模激光器芯片技术;

研究

4 通道调制器芯片技术;

研究

4 通道探 测器芯片技术;

研究 4*100Gb/s 光收发模块技术及系统应用. 考核指标:波长分配 1271/1291/1311/1331nm,波长精度为 +/-6.5nm;

调制器及探测器 3dB 带宽>40GHz;

激光器单元激光器 出光功率不小于 20mW, 激光器与调制器光耦合效率>50%;

收端 灵敏度-2.0dBm,合波总功率>4.0dBm.4*100Gb/s 收发 模块完成系统功能演示,传输距离 500m 以上,消光比>3.5dB. 具备批量生产能力,实现批量销售,申请发明专利

55 项. 2.5 面向短距离光互连应用的多模光收发芯片、器件与模块 (共性关键技术类,拟支持两项) 研究内容:研究波长 850nm、速率 25Gb/s 的面发射激光器 (VCSEL)芯片设计与制备工艺;

研究低暗电流、高响应度的 850nm 波段探测器芯片设计与制备工艺;

研究多模单通道 25Gb/s ―

9 ― VCSEL 驱动控制电路技术;

研究多模单通道 25Gb/s 和4*25Gb/s 的放大及时钟恢复电路技术;

研究多模 4*25Gb/s 混合集成光收发 模块技术与系统应用. 考核指标: 实现 25Gb/s VCSEL 芯片, 工作波长 840~860nm, 3dB 带宽>20GHz,阈值电流20GHz,暗电流0.5A/W;

实现

4 通道集成化光收发模块,传输速率达到 4*25.78Gb/s 或4*28.05Gb/s,可编程范围≥12.8mA,总功耗