PDF《韦文生教授简介》

1 韦文生教授简介

一、个人基本情况 姓名:韦文生 性别:男 出生年月:1966 年10 月民族:汉族 职称职务:教授、副院长 政治面貌:中共党员 最后学历、学位:博士研究生、工学博士 工作单位:温州大学物理与电子信息工程学院 通信地址:浙江省温州市茶山高教园区温州大学南校区

1 号楼 A 座513 室 邮政编码:325035

电话:0577-86689293 E-Mail: weiwensheng@wzu.

edu.cn;

[email protected]

二、从事研究的专业领域及主要研究方向 专业领域:半导体材料与器件、通信与电子科学与技术 主要方向: (1)电气检测与光机电一体化;

(2)微纳高频功率器件;

(3)分布式新能源电力技术.

三、主要工作经历

1984 年09 月--1988 年07 月:华中师范大学物理学,全日制本科生/学士学位;

1999 年09 月--2004 年07 月:北京航空航天大学材料学,全日制硕、博连读研 究生/工学博士;

2 2004 年05 月--2010 年11 月:温州大学,电子科学与技术专业副教授;

2010 年12 月--至今: 温州大学,电子科学与技术专业教授.

四、近年主要教科研业绩 (1) 科研项目 [1] 纳米晶碳化硅/纳米晶硅基异质结的制备及微波特性, 国家自然科学基金面上 项目(No. 61774112,2018.01-2021.12,63.0 万元,主持);

[2] 梯度掺杂纳米晶碳化硅/晶体碳化硅双缓变结的反向软恢复特性, 国家自然科 学基金面上项目(No. 61274006,2013.01-2016.12,82.0 万元,主持);

[3] 信息与通信实验教学平台,中央财政支持地方高校发展专项资金2013.06-2015.06,100.0 万元,主持). (2) 课程建设、教研课题 [1] 教材:李昌,李兴(主编),韦文生,古发辉,阮秀凯(副主编),数据通信与 IP 网络技术,人民邮电出版社,2016 年8月;

[2] 教材:高吉祥,高广珠,陈和平,韦文生,高频电子线路,高等教育出版社,

2016 年6月. (3) 指导学生的课题 [1] 研究生赵少云,宽带隙合金半导体功率二极管的研究,2013 年温州大学研究

3 生创新基金拟立项项目(2013.12-2015.06,0.4 万元);

[2] 本科生陈文萍(13 通信学生),微波二极管正向 I-V 浪涌冲击试验与测量装置 的研制仪,

2015 年浙江省大学生科技创新活动计划暨新苗人才计划项目(No. 2015R426016,2013.10-2015.10,0.5 万元);

[3] 本科生吴雪芹(14 通信学生),二极管反向漏电流测试装置的研制,2016 年温 州大学学生科研课题 (No. 2016kx142,2016.05-2017.05). (4) 发明专利 [1] 韦文生,罗飞,一种基于反向恢复时间筛选二极管的装置,授权发明专利, 专利号:ZL201610149876.1,2017.07.18. [2] 韦文生,罗飞,吴宇栋,一种晶闸管四象限触发特性参数测试装置,授权发 明专利,专利号:ZL201610446215.5,2017.07.18. [3] 韦文生,赵少云,一种自动分拣二极管的装置及方法,授权发明专利,专利 号:ZL201610149851.1,2017.05.17. [4] 韦文生,罗飞,蔡斌,应柯杰,一种功率二极管正向动态电阻测试装置,授 权发明专利,专利号:ZL201610450072.5,2017.05.17. [5] 韦文生,罗飞,葛文峰,一种功率二极管反向击穿电压分级测试装置,授权 发明专利,专利号:ZL201610443741.6,2017.04.12. [6] 韦文生,罗飞,一种多标准二极管反向恢复时间测试装置,授权发明专利, 专利号:ZL201610149554.7,2017.02.22. [7] 韦文生,阴极结嵌入 P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管,授权 发明专利,专利号:ZL2015107259685,2016.08.24. [8] 韦文生,罗飞,沈琦,一种半导体功率器件瞬态热阻测试装置及方法,授权 发明专利,专利号:ZL2015104583742,2016.08.17. [9] 韦文生, 罗飞, 数字化大功率微波二极管反向动态波形及损耗功率测试系统, 授权发明专利,专利号:ZL201410565844.0,2016.04.27. [10]韦文生,制备 SiC 超快恢复二极管及工艺,授权发明专利,专利号: ZL201410427072.4,2016.03.30. [11]韦文生,纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管,授权发明 专利,专利号:ZL201510025277.4,2016.03.30. [12]韦文生,夏鹏,蒋佩兰,罗飞,二极管正向恢复参数综合测试分析平台,授 权发明专利,专利号:ZL201410401893.0,2015.09.02. [13]韦文生,沈琦,夏鹏,一种用于抵制二极管内反向恢复电荷的系统,授权发 明专利,专利号:ZL201410128200.5,2015.06.03. [14]韦文生, 纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法, 授4权发明专利,专利号:ZL201210329426.2,2014.11.05. [15]韦文生,一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器,授权发 明专利,专利号:ZL200810020042.6,2010.09.29. [16]韦文生,罗飞,伍广禺,一种数字化二极管正向电流浪涌试验装置,公布发 明专利,申请号:201610442091.3,2016.11.16. (5) 代表性学术论文 期刊论文: [1] Wensheng Wei, Lulu Liu, Chunxi Zhang, Jianzhu Ye, (p+ )Nanocrystalline/(n- ) Crystalline/(n+ )Nanocrystalline Si Fast Recovery Diode with (p+ )Nanocrystalline SiC Inserted in Cathode Junction, Surface and Coatings Technology, Vol. 320, No.