PDF《S-8244系列》

450 *1 mW TMSOP-8

650 *1 mW 工作环境温度 Topr ? ?40~+85 °C 保存温度 Tstg ? ?40~+125 °C *1. 基板安装时 [安装基板] (1) 基板尺寸: 114.3 mm * 76.2 mm * t1.6 mm (2) 名称: JEDEC STANDARD51-7 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值.万一超过此额定值,有可能造成产品劣化等物理性损 伤.

0 50

100 150 环境温度 (Ta) [°C]

700 600

500 400

300 200

100 0 容许功耗 (P D ) [mW] TMSOP-8 SNT-8A 图4 封装容许功耗 (基板安装时) 1~4节电池串联用电池保护IC (二次保护用) S-8244系列 Rev.7.0_00

8 电气特性 表6 (除特殊注明以外: Ta = 25°C) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 测定条件 测定电路 检测电压 过充电检测电压1 *1 VCU1 3.7 V~4.55 V可调整 VCU1?0.025 VCU1 VCU1+0.025 V

1 1 过充电检测电压2 *1 VCU2 3.7 V~4.55 V可调整 VCU2?0.025 VCU2 VCU2+0.025 V

2 1 过充电检测电压3 *1 VCU3 3.7 V~4.55 V可调整 VCU3?0.025 VCU3 VCU3+0.025 V

3 1 过充电检测电压4 *1 VCU4 3.7 V~4.55 V可调整 VCU4?0.025 VCU4 VCU4+0.025 V

4 1 过充电滞后电压1 *2 VCD1 ? 0.28 0.38 0.48 V

1 1 过充电滞后电压2 *2 VCD2 ? 0.28 0.38 0.48 V

2 1 过充电滞后电压3 *2 VCD3 ? 0.28 0.38 0.48 V

3 1 过充电滞后电压4 *2 VCD4 ? 0.28 0.38 0.48 V

4 1 检测电压温度系数 *3 TCOE Ta = ?40°C~+85°C *4 ?0.4 0.0 +0.4 mV/°C ? ? 延迟时间 过充电检测延迟时间 tCU C = 0.1 μF 1.0 1.5 2.0 s

5 2 工作电压 VCC?VSS间工作电压 *5 VDSOP ? 3.6 ?

24 V ? ? 消耗电流 通常工作消耗电流 IOPE V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V ? 1.5 3.0 μA

6 3 休眠时消耗电流 IPDN V1 = V2 = V3 = V4 = 2.3 V ? 1.2 2.4 μA

6 3 VC1流入电流 IVC1 V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V ?0.3 ? 0.3 μA

6 3 VC2流入电流 IVC2 V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V ?0.3 ? 0.3 μA

6 3 VC3流入电流 IVC3 V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V ?0.3 ? 0.3 μA

6 3 输出电压 *6 CO H 电压 VCO(H) IOUT =

10 μA时VCC?0.05 ? ? V

7 4 CO L 电压 VCO(L) IOUT =

10 μA时??VSS+0.05 V

7 4 *1. Ta = ?40°C~+85°C时为 ±

50 mV *2. 0.38 V以外的情况下为0.25 ± 0.07 V、0.13 ± 0.04 V、0.045 ± 0.02 V *3. 电压温度系数表示过充电检测电压和过充电滞后电压. *4. 并没有在高温以及低温的条件下进行筛选,因此只保证在此温度范围下的设计规格. *5. 在工作电压范围内,在过充电检测之后,延迟电路会正常地工作. *6. 可选择输出逻辑以及CMOS输出或开路漏极输出. 1~4节电池串联用电池保护IC (二次保护用) Rev.7.0_00 S-8244系列

9 测定电路 (1) 测定条件1 测定电路1 CMOS输出产品的情况下,SW1与SW2同样设置为OFF.Nch开路漏极产品的情况下,SW1设置为ON,SW2设置为 OFF.Pch开路漏极产品的情况下,SW1设置为OFF,SW2设置为ON. ・在CMOS输出动态 H 或者是Nch开路漏极输出动态 H 的产品的情况下 在设置V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V后,缓慢上升V1,CO变为 H 时的V1的电压即为过充电检测电压1(VCU1).之后,缓慢降低V1的电压,CO变为 L 时的V1的电压与VCU1的差称为过充电滞后电压1(VCD1). ・在CMOS输出动态 L 、Nch开路漏极输出动态 L 或者是Pch开路漏极输出动态 L 的产品的情况下 在设置V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V后,缓慢上升V1,CO变为 L 时的V1的电压即为过充电检测电压1(VCU1).之后,缓慢降低V1的电压, CO变为 H 时的V1的电压与VCU1的差称为过充电滞后电压1(VCD1). (2) 测定条件2 测定........