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四、新建设内容的市场前景和风险提示

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(一)市场前景

1、区熔单晶硅生产及市场情况 除金融危机影响较大的2009年外, 全球单晶硅市场近5年一直保持5%~10% 的增速.2011 年全球单晶硅市场约为 357.2 亿美元,预计

2012 年将达到 369.3 亿美元,同比增长 3.4%.其中区熔单晶硅市场份额约为 3.5%,对应约 12.9 亿美 元.

2、区熔单晶硅市场分析及预测 (1) IGBT 等器件需求旺盛带动高效区熔单晶硅需求 高效区熔单晶硅可用于 IGBT 器件等集成电路半导体产业以及国防建设、航天、航空和航海等尖端科技领域,对国民经济发展和国防建设有着十分重要的作 用.2007 年-2011 年,IGBT 等器件以年平均 18.86%的速度增长. MOSFET、IGBT 等市场增长情况见下表: 年份 晶闸管 大功率晶体管 达林顿管 MOSFET IGBT PIC

2007 16.10% 15.68% 10.89% 22.71% 20.14% 27.78%

2008 15.33% 14.77% 10.33% 19.44% 20.88% 26.37%

2009 15.19% 14.17% 10.05% 16.90% 19.46% 22.08%

2010 14.84% 13.84% 9.54% 15.29% 17.72% 20.53%

2011 14.83% 13.35% 9.28% 14.60% 16.09% 19.97% 资料来源:光大证券研究所 伴随着中国经济的腾飞,国内各项基础设施及能源建设都处在飞速发展时 期.以国家电网工程、高速轨道交通、电动汽车及混合动力汽车、绿色节能产业 等为代表的一批对国民经济有巨大拉动作用的国家重点项目, 均对新型电力电子 器件有着旺盛的需求. 这些器件的需求将持续带动区熔单晶硅保持相对较高的增 长率.按照 Winegarner 分析预计,由于全球功率节能器件(Power Semi)和光电 子器件需求的大幅度上升,区熔单晶硅在未来几年内将保持两位数的增长率. 目前在所有的硅材料半导体应用中,区熔硅单晶占比约为 6%~8%. (2)光伏产业需求长期看好带动高效区熔单晶硅需求 区熔高效太阳能电池硅单晶采用区熔工艺制备而成,与目前太阳能行业普遍 应用的直拉硅单晶生长方法相比,生长速率高,耗电量低,其转换效率达 23% 以上,高于目前普通单晶片的转化效率.由于区熔炉采用多晶硅生产高品质单晶

7 硅,因而具有低成本、高转换效率的特点.综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电 池和多晶硅太阳能电池.近年来,区熔单晶硅开始进入光伏领域.随着区熔单晶 硅生产成本的不断降低,区熔单晶硅在太阳能电池的应用比例将不断提升.

(二)风险提示

1、行业风险 区熔单晶硅属半导体行业,具有良好的市场前景.但如果未来,该行业像目 前的光伏行业一样出现大幅度波动甚至陷入低迷,产品价........