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28 图5-1. EG2136 结构框图 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片
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12 6.典型应用图 HIN1,2,3 LIN1,2,3 VCC FAULAT EN RCIN ITRIP VSS VB1,2,3 VS1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 COM 600V OUT C1 0.1uF C2 1nF R1 2M R3 R2 R4 R5 FR107 1N4148 1N4148 10uF C3 EG2136 15V HIN1,2,3 LIN1,2,3 FAULAT EN 图6-1. EG2136 典型应用电路图 7.电气特性 7.1 极限参数 无另外说明,在TA=25℃条件下,所有电压均以 COM 为参考点 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 自举高端 VB 电源 VB - -0.3
600 V 高端悬浮地端 VS - VB1,2,3-25 VB1,2,3+0.3 V 高端输出 HO - VS1,2,3-0.3 VB1,2,3+0.3 V 低端输出 LO - -0.3 VCC+0.3 V 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片
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12 电源 VCC - -0.3
25 V 地VSS - VCC-25 VCC+0.3 V 高通道逻辑信号 输入电平 HIN1,2,3 - -0.3
6 V 低通道逻辑信号 输入电平 LIN1,2,3 - -0.3
6 V RCIN 输入电压 VRCIN - VSS-0.3 VCC+0.3 V FAULT 输入电压 VFAULT - VSS-0.3 VCC+0.3 V EN 输入电压 EN - VSS
6 V ITRIP 输入电压 ITRIP - VSS
6 V TA 环境温度 - -40
125 ℃ Tstr 储存温度 - -55
150 ℃ TL 焊接温度 T=10S -
300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性. 7.2 典型参数 无另外说明,在TA=25℃,VCC=VBS1,2,3=15V,VS1,2,3=VSS=COM,CL=1nF 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源 VCC
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20 V 输入逻辑信号高电位 VIH HIN1,2,3=LIN1,2,3 3.0 - - V 输入逻辑信号低电位 VIL HIN1,2,3=LIN1,2,3 - - 0.8 V EN 使能电压 VTH+ - - 3.0 V EN 使能电压 VTH- 0.8 - - V ITRIP 过流检测电压 VITTH 0.37 0.46 0.55 V ITRIP 过流迟滞电压 VITHYS - 0.07 - V RCIN 端检测电压 VRCINTH -
8 - V RCIN 端迟滞电压 VRCINHYS -
3 - V VCC/VBS 欠压复位电压 VCCUV+ VBSUV+ 8.0 8.9 9.8 V VCC/VBS 欠压检测电压 VCCUV- VBSUV- 7.4 8.2 9.0 V VCC/VBS 欠压迟滞电压 VCCUVH VBSUVH 0.3 0.7 - V 静态电流 Icc VIN=5,VCC=15V - 1.0 1.5 mA 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片
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12 VBS 静态电流 IBS VIN=5 -
30 - uA 悬浮浮动电源漏电流 ILK VB1,2,3=VS1,2,3=600V - -
50 uA EN 使能关闭电流 IEN VEN=0 - - 1.0 uA IO 输出拉电流 IO+ Vo=0V,VIN=VIH PW≤10uS
200 - mA IO 输出灌电流 IO- Vo=12V,VIN=VIL PW≤10uS
350 - mA 高电平输出电压 VOH IO=25 mA 14.2 V 低电平输出电压 VOL IO=25 mA 0.2 V RCIN 低通电阻 RONRCIN
50 100 Ω FAULT 低通电阻 RONFAULT
50 100 Ω 输出上升沿时间 tr
125 190 nS 输出下降沿时间 tf
50 75 nS 输出上升沿延时时间 ton
300 425
550 nS 输出下降沿延时时间 toff
250 400
550 nS EN 使能关闭延时时间 tEN VIN,VEN=0V 或5V
300 450
600 nS ITRIP 过流保护延时 tITRIP VITRIP=5V
500 750
1000 nS ITRIP 前沿消隐时间 tbl VIN=0V或5V ,VITRIP=5V
100 150 - nS ITRIP 到FAULT 传输延迟时间 tFLT VIN=0V或5V ,VITRIP=5V
400 600
800 nS 输入滤波时间 tFILIN VIN=0V 或5V
100 200 - nS RCIN 重置时间 tFLTCLR VIN=0V或5V ,VITRIP=0V 1.3 1.65
2 mS 死区时间 DT VIN=0V 或5V
220 290
360 nS 高低端延时匹配 MT -