PDF《ELECTRONIC GIANT》

40 75 nS 三通道导通和关闭延时匹配 MDT -

25 70 nS 输入和输出脉冲宽度匹配 PM |pwin-pwout| -

40 75 nS 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片

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12 7.3 功能描述 EG2136 是用作 N 型功率 MOSFET 和IGBT 等高压、 高速功率器件的三相栅极驱动电路, 主要包含三个独立的半桥驱动电路,正常工作输出时,LO 和HO 分别与输入 LIN 和HIN 的 信号保持逻辑反相.EG2136 同时具备欠压(UV)保护功能,当VCC 的电压低于欠压保护 检测电压时,三个通道的 LO 和HO 均输出低电平,当VBS 的电压低于欠压保护检测电压 时,HO 输出低电平,LO 正常响应 LIN 的信号.该功能防止被驱动的 MOSFET 或IGBT 工作 在高电压高电流状态下,有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作.EG2136 还 具备输入噪声滤波功能,防止噪声干扰.EG2136 内置死区时间,防止被驱动的两个功率 MOS 管或 IGBT 因直通而产生大电流烧毁功率器件,有效保护功率器件.EG2136 集成过流 保护功能,并能指示欠压和过流故障状态,同时关断六通道输出. 7.4 逻辑时序图 1. 输入输出逻辑时序图: HIN1,2,3 LIN1,2,3 EN ITRIP FAULT RCIN HO1,2,3 LO1,2,3 图7-1. 输入输出逻辑波形图 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片

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12 2. 输入信号和输出信号逻辑真值表: VCC VBS ITRIP ENABLE FAULT LO1,2,3 HO1,2,3 VCCUV-,VCCUV-并不会锁定,FAULT 变为高阻. 注3:当ITRIP<

VITRIP,RCIN 电压大于 8V(@VCC=15V) ,FAULT 变为高阻. 3. 开关时间波形: LIN1,2,3 HIN1,2,3 HIN1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 50% 50% 50% 50% 90% 90% 10% 10% pwin pwout ton toff tf tr 图7-2. 开关时间波形图 4. 使能关断波形: EN HO1,2,3 LO1,2,3 50% 90% ten 图7-3. 使能关断波形图 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片

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12 5. 死区时间波形: HIN1,2,3 LIN1,2,3 LIN1,2,3 HIN1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 50% 50% 50% 50% 50% 50% 50% 50% DT DT 图7-4. 死区时间波形图 6. 过流保护波形: RCIN ITRIP FAULT Any output 50% 50% 50% 50% 90% tflt tfltclr titrip Vrcinth+ 图7-5. 过流保护波形图 7. 欠压保护波形: FAULT LO1,2,3 VCC 图7-6. 欠压保护波形图 屹晶微电子有限公司 EG2136 芯片数据手册 V1.0 三相半桥电路驱动芯片

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12 8. 输入噪声滤波波形: tFLTIN tFLTIN tFLTIN tFLTIN HIN1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 HIN1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 LO1,2,3 high low 图7-8. 输入噪声滤波波形图 8.封装尺寸 8.1 SOP28L 封装尺寸 E1 E b e B B D A3 A2 A A1 b1 b BASE METAL c1 c WITH PLATING θ c L1 L 0.25 MIN NOM MAX MILLIMETER SYMBOL A - - 2.65 A1 A2 A3 0.10 - 0.30 2.25 2.30 2.35 0.97 1.02 1.07 b b1 c c1 D E E1 e L L1 θ 0.38 0.39 - 0.47 0.41 0.44 0.25 - 0.29 0.24 0.25 0.26 17.90 18.00 18.10 10.10 10.30 10.50 7.40 7.50 7.60 1.27BSC 0.70 - 1.00 1.40REF

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