PDF《DG15N60》

13 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 输入电容 Inputcapacitance Ciss VDS=25V,VGS =0V,f=1.0MHZ -

2315 3045 pF 输出电容 Outputcapacitance Coss -

219 324 pF 反向传输电容 Reversetransfercapacitance Crss -

35 55 pF 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

4 /11 http://www.jsdgme.com 开关特性 Switching Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 延迟时间Turn-Ondelaytime td(on) VDD=300V,ID=15A,RG=25Ω (note4,5) -

80 105 ns 上升时间Turn-Onrisetime tr -

135 180 ns 延迟时间Turn-Offdelaytime td(off) -

240 325 ns 下降时间Turn-OffFalltime tf -

110 205 ns 栅极电荷总量TotalGateCharge Qg VDS =480V,ID=15A,VGS =10V (note4,5) -

58 75 nC 栅-源电荷Gate-Sourcecharge Qgs -

12 - nC 栅-漏电荷Gate-Draincharge Qgd -

28 - nC 漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 正向最大连续电流 MaximumContinuousDrain-Source DiodeForwardCurrent IS - -

15 A 正向最大脉冲电流 MaximumPulsedDrain-SourceDiode ForwardCurrent ISM - -

60 A 正向压降 Drain-SourceDiodeForwardVoltage VSD VGS=0V,IS=15A - - 1.4 V 反向恢复时间 Reverserecoverytime trr VGS=0V,IS=15A dIF/dt=100A/μs(note4) -

600 - ns 反向恢复电荷 Reverserecoverycharge Qrr - 7.2 - μC 注释: 1:脉冲宽度由最高结温限制 2:L=7mH, IAS=13A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25℃ 3:ISD ≤15A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, 起始结温TJ=25℃ 4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2% 5:基本与工作温度无关 Notes: 1:Pulse width limited by maximum junction temperature 2:L=7mH, IAS=13A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃ 3:ISD ≤15A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4:Pulse Test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2% 5:Essentially independent of operating temperature 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

5 /11 http://www.jsdgme.com 图1. 输出特性曲线 图2. 传输特性曲线 Fig.

1 On-State Characteristics Fig.

2 Transfer Characteristics 图3. 击穿电压随温度变化曲线 图4. 导通电阻随温度变化曲线 Fig.

3 Breakdown Voltage Variation vs Temperature Fig.

4 On-Resistance Variation vs Temperature 图5. 电容特性曲线 图6. 栅电荷特性曲线 Fig.

5 Capacitance Characteristics Fig.

6 Gate Charge Characteristics 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

6 /11 http://www.jsdgme.com 图7. 最大安全工作区 图8. 最大漏极电流随温度变化曲线 Fig.

7 Maximum Safe Operating Area Fig.

8 Maximum Drain Current vs Case Temperature 图9. 瞬态热响应曲线(TO-220) 图10. 瞬态热响应曲线(TO-220F) Fig.

9 Transient Thermal Response Cur........