PDF《浙江省拟提名 2019 年度国家技术发明奖项目公示内容》

2015 年浙江省技术发明一等奖,项目核心专利之一 一种微 量掺锗直拉硅单晶 获得国家知识产权局

2012 年 第十三届中国专利优秀奖 . (4)项目 发表微量掺锗相关 SCI 论文

48 篇,受邀在材料类国际顶级刊物 Material Science and Engineering: R 等国际期刊撰写长篇综述论文

6 篇;

参编两部国外英文专著(各一章) ;

在 国际会议上做邀请报告

23 次. (5)国际 GDEST 会议主席,德国 IHP 微电子研究所的 Martin Kittler 教授,在专业国际会议邀请报告中,直接引用了我们掺锗直拉硅单晶制备的高质量 内吸杂区的照片,并指出:锗掺杂是杨德仁教授开拓(pionner)的工作. (6)欧洲材料研 究会(E-MRS)原副主席、SEMI 欧洲 ISS 委员 Hans Richter 教授在第七届硅材料先进科学 与技术会议的邀请报告中指出: (现代集成电路用硅片技术)包含吸杂、缺陷和杂质工程、 沟道工程等.将我们提出的 杂质工程(impurity engineering) 列为现代集成电路用硅 片主要技术之一. (7)国际著名的新能源技术网站 Renewable Energy Global Innovations 在 Key Scientific Article (关键科学论文)一栏,以 掺锗直拉硅单晶的光伏应用 为题,对项目发表专题评论,指出:掺锗光伏硅的优点对高效太阳电池非常重要,在该材 料实际工业应用之后,将打开光伏新的一页. (8)在国际著名学者 G. Eranna 博士的专著 Crystal Growth and evaluation of silicon for VLSI and ULSI 中,硅单晶中锗的 性质被列为专门章节(4.3.6.7 和8.3.4) ,其中大量、大篇幅地引用项目的研究成果,引 用项目论文达

14 篇.同时指出:杂质工程是直拉硅单晶的一个主要问题,特别是对超大规 模集成电路和极大规模集成电路而言. ? 应用情况: 项目自

2001 年开始研发,2001 年提出了 微量掺锗调控直拉硅单晶缺陷 的新思想和 发明专利,其后连续得到了国家自然科学基金面上项目、重点项目和国际合作项目的支持, 解决了其基础科学问题;

同时,项目与浙江金瑞泓科技股份有限公司(联合申报单位)进 行产学研合作,开发了相关产业技术,并实现了产业化.经过近

20 年的研究,形成了微量 掺锗直拉硅单晶生长、加工和应用的成套技术.为保护知识产权和提高企业的核心竞争力, 该技术和产品在微电子和光伏产业分别独家大规模应用.在微电子领域,项目技术独家应 用在我国微电子用直拉硅单晶头企业:浙江金瑞泓科技股份有限公司;

在太阳能光伏领域, 项目技术独家应用在太阳能光伏用直拉硅单晶企业西安隆基硅技术有限公司

2010 年开始, 项目组结合浙江金瑞泓科技股份有限公司承担的国家

02 科技重大专项 200mm 硅片研发和 产业化及 300mm 硅片产业化技术研究(2010ZX02301) ,项目负责人承担了课题三 200mm 硅片缺陷工程 ,其主要任务之一就是将微量掺锗硅单晶技术在 200mm 硅单晶和外延上实现 大规模的产业化,满足我国微电子产业的重大需求.经过

5 年工作,该重大专项已经顺利 完成,并于

2017 年5月通过验收.项目实施期间,累计销售

200 mm 直拉硅单晶抛光片和 外延片 84.45 万片,其中约 20%为微量掺锗直拉硅单晶产品.从2007 年开始,浙江金瑞泓 公司也逐步成长为我国微电子用硅单晶材料的龙头企业之一,

2015、

2016、2017 年连续三 年获得中国电子材料协会评选的 中国半导体材料十强 企业.目前,微量掺锗硅单晶产 品应用在包括华虹宏力、上海先进、中航(重庆)微电子有限公司等国内主要集成电路公 司,产品满足了国家微电子产业的重大需求. ? 主要知识产权和标准规范等目录 知识产权 (标准) 类别 知识产权 (标准)具 体名称 国家 (地区) 授权号 (标准 编号) 授权 (标 准发布) 日期 证书编号 (标准批 准发布部 门) 权利人(标准起草单位)发明人 (标 准起草人) 发明专利 (标准) 有 效状态 中国发 明专利 一种微量 掺锗直拉 硅单晶 中国 ZL011