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南京拓微集成电路有限公司

1 南京拓微集成电路有限公司 DATASHEET (TP83 升压系列) 南京拓微集成电路有限公司

2 DC/DC 升压变换芯片 ―TP83 系列

一、 概述 TP83 系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器.

该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压 采样电阻及 VLX 限幅电路等组成. TP83 系列升压转换器采用变频的方式,因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、 效率高等特点,应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个). 输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V―6V 可选.

二、 芯片特性及主要参数 该设计产品 TP83 系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能: 1. 外接元件少: 需肖特基管、电感及电容各一个;

外接元件建议选择: 低直流电阻电感 20~220μH,钽电容 47~ 200μF,肖特基二极管. 2. 极低的静态电流: 4uA 3. 低噪声及低纹波: 纹波典型值为 100mV 4. 驱动能力强: Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时,Iout=100mA Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时,Iout=750mA 5. 启动工作电压低:最大 0.8V 6. 高效率: 85%(Typ) 7. 封装体积小: SOT89,SOT23(窄体)

三、 应用范围 TP83 系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备:

1、电池供电设备的电源部分.

2、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分.

3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分.

四、 命名规则 内置 MOS 管命名: 外置 MOS 管命名: 南京拓微集成电路有限公司

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五、 芯片模型及引脚介绍 本设计芯片封装样式如下图,其引脚说明亦如下表所示 引脚说明: Vss:接地引脚 Lx:开关引脚(或Ext 外置 Tr) OUT:升压输出引脚 封装 PIN1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx(Ext) SOT23(窄体,见封装 结构尺寸) Vss Lx(Ext) OUT

六、 极限参数 对地输入电压 VIN 10V 输出电流 Iout 800mA 功耗 Pd SOT-23 0.25W SOT-89 0.50 工作温度 TA -40℃~145℃ 导线焊接温度(10 秒) 260℃

七、 工作原理 利用电感对能量的存储, 并通过其与输入端电源共同的泄放作用, 从而获得高于输入电压的输出电压. 如图: 南京拓微集成电路有限公司

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八、 电性能参数 其主要参数测试如下表: 测试条件:VIN=2.2V,Vss=0V,Iload=10mA,Topt= 25℃,Cout=100 ?F(胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联),L=

47 ?H(内阻 0.1 欧姆).有特别说明除外. TP8330(电路见图一): 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 2.925 3.000 3.075 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN:0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN:0.98→0V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载

6 10

25 ?A 静态输入电流 IIN2

2 4

8 ?A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V

450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V

1 ?A 振荡频率 FOSC

150 200

250 kHz 占空比 Dty

80 % 效率 η

85 % TP8333: 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 3.217 3.300 3.383 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN:0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN:0.98→0V 0.3 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载

8 10

25 ?A 静态输入电流 IIN2

2 4

8 ?A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V

450 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V