PDF《南京拓微集成电路有限公司》

1 ?A 振荡频率 FOSC

150 200

250 kHz 占空比 Dty

80 % 效率 η

85 % 南京拓微集成电路有限公司

5 TP8350: 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 4.875 5.000 5.125 V 开启电压 Vstart IL=1mA VIN:0→0.98V 0.5 0.8 0.9 V 保持电压 Vhold IL=1mA VIN:0.98→0V 0.5 0.6 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载

8 15

25 ?A 静态输入电流 IIN2

2 4

8 ?A 开关管导通电流 ILX VLX=0.4V

570 mA 开关管漏电流 ILxleak VLX=6V

1 ?A 振荡频率 FOSC

150 200

250 kHz 占空比 Dty

80 % 效率 η

85 % TP8356X(电路见图二): 参数 符号 测试状态 最小值 典型值 最大值 单位 输出电压 Vout 5.460 5.600 5.740 V 无负载输入电流 IIN1 VIN=2.2V 空载

8 15

25 ?A 静态输入电流 IIN2

1 4

8 ?A IEXT N VDS=0.4V

22 mA CMOS 驱动输出管 导通电流 IEXT P VDS=-0.4V

20 mA 振荡频率 FOSC

150 200

250 kHz 占空比 Dty

80 % 工作特性曲线如下: 测试条件: L=47uH(内阻 0.1 欧姆) Cout=100uF(胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联) 南京拓微集成电路有限公司

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九、 TP83 系列升压芯片应用实例 典型应用电路: L=47uH(内阻 0.1ohm) 、Cout=100uF 电解电容并接 0.1uF 陶瓷电容、Diode 为肖特基二极管 TP8330 典型应用电路(TP

8350、TP8356 电路见附件): (测试输入电流时,输入电容 Cin=47uF 必须接入) 图一:TP8330 典型应用电路 TP8356X 典型应用电路(外置 NMOS 管为低阈值开启电压,例GE2300): 图二:TP8356X 典型应用电路 南京拓微集成电路有限公司

7 升压/降压电路: 降压电路 注:以上电路中的启动电路

十、 使用注意事项 外围电路对 TP83 系列升压转换芯片性能影响很大,需合理选择外部器件: 1) 外接电容值不宜小于 47μF(电容值过小将导致输出纹波过大),同时要有良好的频率特性(最好 使用钽电容或高频电容).此外,由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压,电容的容压值至少 为设计输出电压的

3 倍;

(普通的铝电解电容 ESR 值过高,所以可选购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的 铝电解电容). 2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量,同时, 电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的 LX 开关时间时 ILXMAX 超出最大额定值. 此外, 外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和. 3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管. 4) 客户若驱动大电流负载(大于 150mA),而纹波要求不高,则可以减小电感(22uH 左右);

客户若驱动小电流负载(小于 50mA)并想得到低纹波的输出电压,则可增大电感值 南京拓微集成电路有限公司

8 注意事项: 1)该芯片为驱动大负载而设计, 所以外围元器件与芯片距离越小越好, 连线越短越好. 特别是接到 OUT 端的元器件应尽量减短与电容的连线长度;

2)特别建议使用钽电容;

如果在芯片 OUT 和Vss 两端并接电解电容时需要并接 0.1-1? 的陶瓷电容. 3)Vss 端应充分接地,否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化,造成工作状态不稳定. 十

一、封装结构尺寸图示 南京拓微集成电路有限公司

9 SOT-23(窄体) 南京拓微集成电路有限公司

10 附件: 内置 MOS 管TP

8350、TP8356 驱动大电流高效率方案 输入电源为锂电池(3.2v≤Vin≤4.2v) 1.驱动负载 150mA≤Io≤500mA (1)TP8350 典型应用电路 锂电池输入条件下 TP8350 驱动大负载电路 建议各器件参数 L=47uH(内阻