PDF《闪速存储器》

闪速存储器 2012.

05 -2011 年报 主要产品:U盘、存储卡等 适读群体:闪速存储器行业生产、贸易型企业管理人员 闪速存储器 一.闪速存储器行业概况.

4 1.1. 行业概况.

4 1.2. 行业相关认证.6 二.中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口数据分析.

7 2.1.2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口趋势分析......

7 2.2.2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口情况.10 三.2008-2010 年全球固态非易失性存储器件(闪速存储器)进出口趋势分析. .......13 四.2011 年固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要需求国进口情况.15 4.1.2011 年固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要需求国进口情况(美国). .......15 4.2.2011 年固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要需求国进口情况(日本). .......17 4.3.2011 年固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要需求国进口情况(韩国). .......18 目录 闪速存储器 一.闪速存储器行业概况 1.1. 行业概况 闪速存储器(Flash Memory)简称闪存,它是

20 世纪

80 年代中期问世的一种非易失性存储器.

2011 年闪存市场产品价格一直呈下跌走势,最大跌幅达 48%.纵观

2011 年价格走势,市场需求在第一 季度为淡季,价格成缓幅下跌走势,3 月受到日本大地震的影响,由于担心市场供货会出现大的缺口而导致供 货吃紧,因此在恐慌心理影响下,价格出现飙涨,涨幅达 16%.尽管如此,闪存价格在

5 月却是跌幅最大, 达14.5%,其主要是受到手机需求疲软的影响.2011 年8月上旬世界大学生运动会在深圳举行,使得当地 山寨 市场受到严厉调查,导致

5 月以来深圳多家手机设计公司暂停营业,整个山寨机供应链受到相当大的冲击, 市场需求大幅降温. 在2011 年年底泰国的意外水灾让 SSD(Solid State Disk)成为焦点,NAND 闪存价格的下跌让 SSD 需求开始升温,成为了

2012 年市场新的应用产品. 随着人们需求的提升,闪存产品存储容量也开始提高.从闪存市场报价可以看出,Micro SD 从2011 年 下半年开始高容量产品价格一直呈直线下滑,以4GB 和8GB 容量产品价格为例,Micro SD 4GB 上半年由年 初的 27.2 元下跌至 23.5 元人民币,下跌幅度大约在 13.6%,下跌幅度一般;

2011 年下半年则由 23.5 元下 跌至 17.5 元人民币,下跌幅度大约 25.5%,下半年下跌幅度大约是上半年的

2 倍;

全年下跌幅度达 35.6%, 8GB 价格全年下滑 53.6%.高容量产品价格在

2011 年下跌幅度较深,使得市场对于容量热忱度开始由原来的 1GB、2GB 需求转向 4GB、8GB,市场上产品配备的存储器也开始转向高容量. 集邦科技提供的数据显示,2011 年第四季度 NAND 闪存出货环比增长了大约 5%,而平均销售价格则环 比下滑了 13%.集邦科技指出,虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢,但是智能手机和平板电脑制造商对 闪存的需求依然非常强劲. 美国投资银行 SanfordC.Bernstein&

Co. 预计,到2015 年,全球 NAND 闪存芯片市场规模将达到

460 亿美元,远超过

2010 年的

210 亿美元.

2011 年闪存市场主要厂商动向 目前 NAND 闪存上游厂商依然是四大阵营对垒,依次是三星、东芝 /SanDisk、美光 / 英特尔、海力士. 对于

2011 年存储市场,NAND 闪存原厂都持乐观态度,在2011 年里大手笔投资扩产,对于制程技术也是精 益求精,纳米制程技术从

2011 年年初刚进入的 2X 等级到

2011 年年底开始转进 1X 技术,2011 是制程转进 最快的一年. 据媒体报道,根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技提供的最新数据,2011 年第四季度全球第四 季度 NAND 闪存芯片市场规模达到 48.9 亿美元,环比下滑了 8.6%.三星电子依然是该市场的龙头,市场份 额达到了 34.6%. 据国外媒体报道,全球第二大计算机存储芯片制造商海力士周四发布了该公司

2011 年第四季度财报.财 报显示,受PC 市场需求下滑导致内存芯片价格下跌的影响,海力士第四季度的业绩亏损幅度超过了市场预期.

4 2012_05 闪速存储器 三星 在2011 年年初三星便表示

2011 年将执行大规模资本支出,资本支出规模约

23 兆韩元 ( 约206.54 亿美 元),较2010 年增加 6.5%,大规模的支出旨在抓住智能手机和平板电脑快速发展的机遇.位于京畿道华城的

16 NAND 闪存生产线从

2011 年9月已经开始投入量产,初期生产规模约为每月

2 万片

12 英寸晶圆,未来 计划将该生产线产能提升至每月

20 万片以上.此外,三星于

2011 年年底表示,公司还计划在中国设厂,从2013 年开始生产 NAND 闪存芯片,投资规模高达

40 亿美元.

2011 年里三星主要是以

27 纳米制程为主,但制程转进速度也非常快,到年底便导入了 1X 纳米,该公 司7月量产基于

20 纳米的 32GB Micro SD,并将在

2012 年上半年开始 1X 纳米级 NAND 闪存量产,制造 高容量 64GB 的Micro SD 卡. 东芝 /SanDisk 东芝在

2011 年主要以

24 纳米制程为主,取代了

32 纳米制程技术.在年初美国消费电子展 (CES) 中展 示了新一代

24 纳米 NAND 闪存制程技术,4 月发布基于

24 纳米工艺的 SmartNAND 系列产品,并在第二 季度量产.不久之后又推出了采用

19 纳米制程技术的 64Gb 2bps(X2)NAND 闪存,2011 年下半年进入量产 阶段. 东芝与 SanDisk 合资的

12 英寸 Fab5 厂于

2011 年8月开始出货,预计产能将可以提升到

20 万片,同 时在

2012 年采用更先进的

19 纳米制程. 美光 / 英特尔 美光在

2011 年主要以

25 纳米制程为主, 年初便以

25 纳米 NAND 闪存技术推出 RealSSD C400 固态硬盘, 并迅速量产.与此同时,20 纳米制程 8GB NAND 闪存开始送样,并在下半年进入量产期.此外

2011 年12 月投产

20 纳米制程技术的 16GB 容量的 NAND Flash 芯片样品,最高容量可提升到 128GB. 美光与英特尔共同投资新加坡

12 英寸晶圆厂,以25 纳米制程切入生产,取代

34 纳米,早期预估月产 能约

10 万片. 海力士 相对于其他 NAND 闪存原厂而言,海力士的制程相对落后,2011 年主要制程为

26 纳米技术,取代

32 纳米制程.该公司在

2011 年年初也曾表示将在

2011 年投资 3.4 兆韩元 ( 约30.3 亿美元 ) 进行厂房以及设备 升级,金额约与

2010 年相近,在忠清北道清州厂增建 NAND 闪存专用厂 M11,大部分为

26 纳米制程设备, 为了强化 NAND 闪存竞争力,海力士在

2011 年下半年也开始投入量产

20 纳米制程 NAND 闪存. 海力士在

2011 Symposium on VLSI Technology 上发表了

20 纳米工艺的 64Gbit MLC NAND 闪存, 并称这是业内首次以

20 纳米工艺实现大容量多值 NAND 闪存,然而未有更多的消息传出. (新闻来源:《集成电路应用》)

5 2012_05 闪速存储器 1.2. 行业相关认证 目前中国闪速存储器行业企业可以选择的出口认证主要有: 01. C E 安全认证(欧盟):检测产品在安全、卫生、环保和消费者保护等方面是否达到欧盟要求. 02. FCC 认证(美国):凡进入美国的通信电子类产品都需要进行 FCC 认证,即通过由 FCC 直接或者间 接授权的实验室根据 FCC 技术标准进行检测和批准. 03. UL 认证(美国):UL 安全试验所是美国最有权威的,也是世界上从事安全试验和鉴定的较大的民间 机构.主要认证产品有:电器,计算器设备、炉子和加热器、保险丝、电源板、烟雾和一氧化碳探测 器、灭火器和自动喷水灭火系统、个人漂浮装置,如救生衣和救生圈、防弹玻璃和其它数千种产品. 04. ROHS 指令(欧盟):检测原材料里的六种有害物质是否超标,主要用于规范电子电气产品的材料及 工艺标准,使之更加有利于人体健康及环境保护. 05. CSA 认证(加拿大):提供对机械、建材、电器、电脑设备、办公设备、环保、医疗防火安全、运 动及娱乐等方面的所有类型的产品提供安全认证. 06. TUV 认证(德国):提供对无线电及通讯类产品认证的咨询服务.

6 2012_05 闪速存储器 二.中国未录制固态非易失性存储器件( 闪速存储器)(HS: 85235110)出口数据分析 2.1.2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口趋势分析 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口量年度走势 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口额年度走势

7 2012_05 闪速存储器 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口额月度走势 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要出口国家 / 地区分布(按2011 年出 口金额排序) 序号 国家 / 地区 我国对主要国家 / 地区的出口额(亿美元)

2011 年较

2009 年同 比(%)

2009 年2010 年2011 年1香港 15.91 16.53 15.51 -2.53%

2 美国↓ 13.00 10.38 8.11 -37.64%

3 台湾↑ 3.58 6.45 6.72 87.62%

4 英国↓ 2.40 2.23 1.69 -29.64%

5 韩国 1.18 0.82 1.55 31.12%

6 日本 1.06 1.01 1.06 -0.18%

7 德国 0.78 0.57 0.68 -12.61%

8 印度↑ 0.40 0.50 0.62 54.55%

9 巴西↑ 0.12 0.20 0.54 358.88%

10 阿联酋↑ 0.28 0.39 0.43 54.68% 注:↑代表 2009-2011 年出口金额持续上升,↓代表 2009-2011 年出口金额持续下降.

8 2012_05 闪速存储器 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)主要出口国家 / 地区所占市场份额 序号 国家 / 地区 市场份额

2009 年2010 年2011 年1香港 36.32% 37.80% 37.63%

2 美国↓ 29.68% 23.74% 19.67%

3 台湾↑ 8.18% 14.74% 16.31%

4 英国↓ 5.48% 5.11% 4.10%

5 韩国 2.70% 1.87% 3.77%

6 日本 2.43% 2.31% 2.57%

7 德国 1.78% 1.31% 1.65%

8 印度↑ 0.92% 1.15% 1.51%

9 巴西↑ 0.27% 0.45% 1.31%

10 阿联酋↑ 0.63% 0.90% 1.04% 注:↑代表 2009-2011 年对各国出口金额占我国出口总额比重持续上升,↓代表 2009-2011 年对各国出口金 额占我国出口总额比重持续下降. 2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口数量逐年递增,但出口额逐年递减. 中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口单价持续下跌.闪速存储器行业技术飞快发展,生产成 本迅速削减,市场竞争越发激烈,导致各类存储产品价格普遍下调.2009 年出口数量约为 6.11 亿个,出口金 额约为 43.80 亿美元.2010 年出口数量约为 7.83 亿个,同比上升 28.1%,出口金额约为 43.73 亿美元,同 比下降 0.2%.2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口数量达到 9.38 亿个,同比上升 19.8%,出口金额约为 41.21 亿美元,同比下降 5.8%. 从2009-2011 年中国未录制固态非易失性存储器件(闪速存储器)出口额月度........