PPT《场效应晶体管》

第四节 (1)跨导gm 3.极限参数 是指场效应管工作时,允许的最大漏极电流. 是指管子允许的最大耗散功率,相当于双极型晶体管的PCM.

第四节

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6 8

10 12

14 16

0 uGS=7V

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6 uDS(V) iD(mA)

3 (1)漏极最大允许电流IDM (2)漏极最大耗散功率PDM 在输出特性上画出临界最大功耗线. 是指在uDS=0时,栅源极间绝缘层发生击穿,产生很大的短路电流所需的uGS值.击穿将会损坏管子. 是指在uDS增大时,使iD开始急剧增加的uDS值. (3)栅源极间击穿电压U(BR)GS (4)漏源极间击穿电压U(BR)DS U(BR)DS 此时不仅产生沟道中的电子参与导电,空间电荷区也发生击穿,使电流增大.

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0 uGS=7V

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6 uDS(V) iD(mA)

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(四)N沟道耗尽型MOS管1.工作原理 VDD N N s g d b P iD N沟道 结构示意图 SiO2绝缘层中掺入大量的正离子. P衬底表面已经出现反型层,存在导电沟道. 在uGS=0时当uGS>0时 感生沟道加宽,iD增大. 感生沟道变窄,iD减小. 当uGS达到某一负电压值UP时,抵消了由正离子产生的电场,导电沟道消失,iD≈0,UP称为夹断电压. 当uGS