PPT《第五章 MOS 场效应管的特性》

2) 克服 SiO2介质上的压降.降低VT的措施:1) 降低衬底中的杂质浓度,采用高电阻率的衬底;

2) 减小SiO2介质的厚度 tox.两项措施都是工艺方面的问题) MOSFET的跨导gm和输出电导gds 根据MOSFET的跨导 gm的定义为:MOSFET I-V特性求得:MOSFET的优值:L???0?? MOSFET的动态特性和尺寸缩小的影响 MOSFET电路等效于一个含有受控源Ids的RC网络.Ids:Ids(Vgs)R:Ids(Vds),Rmetal,Rpoly-Si,RdiffC:Cgs,Cgd,Cds,Cgb,Csb,Cdb,Cmm,CmbCg = Cgs+Cgd+ Cgb , 关键电容值 MOSFET的动态特性,亦即速度,取决于RC网络的充放电的快慢,进而取决于电流源Ids的驱动能力,跨导的大小,RC时间常数的大小,充放电的电压范围,即电源电压的高低. MOSFET的动态特性和尺寸缩小........