PPT《...指使一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底...》

2.温度梯度对气相物质输运的影响;

认为 3.反应速度线性依赖于表面浓度.但成功预测了:薄膜淀积过程中的两个区域(物质输运速率限制区域和表面反应控制限制区域),同时也提供了从淀积速率数据中对hg和ks 值的有效估计.思考:为什么在LPCVD反应系统中,硅片可紧密排列? 6.2 化学气相淀积系统 ①气态源或液态源②气体输入管道③气体流量控制④反应室⑤基座加热及控制系统⑥温度控制及测量系统 6.2.1 CVD的气体源 1.气态源:已被取代.2.液态源:更安全(但氯化物除外)输送方式:冒泡法,加热液态源,液态源直接注入法冒泡法:通过控制携带气体的流速和源瓶的温度,间接达到控制进入到反应室的反应剂浓度.存在问题:较难控制反应剂的浓度;

低气压下反应剂容易凝聚.工艺改进:直接气化系统,液态源直接注入法 6.2.2 质量流量控制系统―直接控制气流流量包括质量流量计和阀门,位于气体源和反应室之间每分钟1cm3的气体流量―温度为273K、1个标准大气压下,每分钟通过1cm3体积的气体.6.2.3 CVD反应室的热源热壁式CVD系统:TW=TS 冷壁式CVD系统:TWTS电阻加热法: ①利用缠绕在反应管外侧的电阻丝加热,形成热壁系统.由表面反应速度控制 ②对放置硅片的基座进行加热,形成冷壁系统.电感加热或高能辐射灯加热 均为直接加热硅片和基座,形成冷壁系统 不同:电感加热,通过射频电源在基座上产生涡流,导致硅片和基座的温度升高.高能辐射灯加热,通过辐射射线加热淀积室侧壁. 6.2.4 CVD系统的分类

3 化学淀积方法:1.常压化学气相淀积APCVD2. 低压化学气相淀积LPCVD3.等离子化学气相淀积PECVD 1.常压化学气相淀积―适用于介质薄膜的淀积

4 特点:用于SiO2的淀积,由质量输运控制淀积速率,因此必须精确控制在单位时间内到达每个硅片表面及同一表面不同位置的反应剂数量. SiH4+O2=SiO2 +H2 O?100mm:10片,?125mm:8片Time:15minTemp:380~450℃?6℃厚度均匀: