PDF《募投项目大大提高公司盈利能力》

图表3 IC 产业链简图 数据来源:平安证券整理 分立器件指的是单一封装的半导体组件、具备电子特性功能,能规定完成某种基本功能, 并且其本身在功能上不能再细分的半导体器件,如二极管、晶体管(或三极体)与闸流体. 分立器件通常应用于电源转换、放大、交换、保护与修正.

图表4 半导体器件分类说明 数据来源:平安证券整理 功率晶体管依制作工艺的不同而有不同分类,例如双极型(Bipolar)晶体管、MOSFET 与IGBT 等. 分立器件制造过程不如集成电路(IC)先进, 其设计的线宽主要为 1-10 以上微米, 晶圆尺寸由 3-6 寸不等.

图表5 双极型和 MOSFET 制作工艺区别 双极型 MOSFET 最低线宽 大于

10 微米 1-4 微米 光罩层数 0-4 大于

6 晶圆尺寸 3-4 英寸 4-6 英寸 产品 电流型晶体管 电压型晶体管 数据来源:平安证券整理 半导体器件 集成电路 分立器件 功率晶体管 光电器件 二极管 三极管 其他分立器件 电路设计 光罩制作 晶片制造 晶片封装 晶圆 公司深度报告 6/24 在国内半导体分立器件的市场结构上, 功率晶体管作为在市场中销售额最大的产品, 相比 其他分立器件增长最快,2006 年的市场增幅达到了 23.2%,市场份额达到 53.6%;

光电器 件的销售额也增长迅速,市场增幅达到了 17.5%,市场份额达到 18.3%;

二极管、三极管 的市场增长比较平稳,

2006 年的市场增幅分别为 6.6%和5.2%, 市场份额为 11%和15.9%. 公司的募投项目集中在功率晶体管,有很大的发展前景,可以替代国外的进口产品.

图表6 半导体分立器件占比 功率晶体管, 53.60% 光电器件, 18.30% 二极管, 11% 三极管, 15.90% 其他, 1.20% 数据来源:CCID,平安证券整理 根据半导体行业协会和 CCID 的数据,2006 年我国半导体分立器件进口数量和金额分别 为2186.5 亿只和 131.4 亿美元,比2005 分别增长了 6.4%和19.2%;

出口数量和金额分别 为1981.5 亿只和 52.4 亿美元, 比2005 年分别增长了 10.9%和25.4%. 贸易逆差方面,

2006 年我国半导体分立器件的贸易逆差增长速度减缓, 全年逆差额为

79 亿美元, 比2005 年的 68.4 亿美元增长 10.6%.

图表7 半导体分立器件占比 47.2 58.7 74.2 110.2 131.4 13.4 17.3 24.3 41.8 52.4

0 20

40 60

80 100

120 140 2002年2003年2004年2005年2006年 进口额 出口额 数据来源:CCID,平安证券整理 从以上数据可以看出, 由于分立器件的价格每年不断下降, 但进出口的金额增长大于数量 的增长,说明进出口产品向高档化发展,中低端产品国内份额逐渐扩大.出口增长大于进 口增长,也说明国内产品的进口替代能力不断加强;

但从器件的平均价格分析,进口的每 只价格为

5 美分,而出口的价格为

2 美分,可以看出中国分立器件中高端的产品占比少, 水平还有待提高. 公司深度报告 7/24 ii. 行业发展趋势 z 替代进口蕴藏巨大发展空间 目前国内功率半导体行业的整体水平还比较低, 生产能力主要集中于低端产品领域, 而在 高技术、高附加值、市场份额更大的的中高档产品领域,国外企业拥有绝对的竞争优势, 国内市场所需产品大量依赖进口.以MOSFET、IGBT、PIC 为例,2006 年三大产品领域的 销售额合计超过国内市场总销售额的 70%,但国内所需产品 90%以上需从国外进口.随着 国内功率半导体行业技术水平的提高和产业升级, 实现高档产品替代进口将为国内功率半 导体产业创造巨大的发展空间. z 结构上向复合型、模块方向发展,性能上向大电流、高速、高反压功率器件发展 从结构上看,随着电子产品体积越来越小,功率器件将向着复合型、模块方向发展.从性 能上看,大电流、高速、高反压功率半导体分立器件拥有非常稳定的市场需求,由于其不 易集成或集成成本太高,具有较强的不可替代性,今后仍是市场需求的主要品种.特别是 随着 MOSFET、IGBT、JFET 等新型功率器件的产品创新、制造技术的日趋成熟和应用技术 的不断升级,功率半导体分立器件的产品格局发生着重大的转变,大电流、高速、高反压 功率半导体分立器件将得到越来越广泛的应用. III. 半导体分立器件在中国市场的现状和预测 i. 现状