PDF《AN58815》

www.

cypress.com 文档编号:001-92153 版本*A

1 AN58815 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

65 nm 技术的优势 作者:Jayasree Nayar 相关项目:无 相关器件系列:CY7C13xxKV

18、CY7C14xxKV18 CY7C15xxKV

18、CY7C25xxKV

18、CY7C16xxKV

18、CY7C26xxKV18 软件版本:无 相关应用笔记:AN

42468、AN54908 本应用笔记概述了从

90 nm 技术 QDR? SRAM 器件移植到

65 nm 技术 QDR? SRAM 器件的好处. 简介 与90 nm 技术系列相比,65 nm 技术 QDR 器件系列的优点 很显著.本应用笔记介绍的是从

90 nm 器件移植到

65 nm 器件的指南及其优点. 概述 表1加亮部分显示的是

65 nm 和90 nm QDR 器件系列的 各特性,以及这两种器件系列之间的区别. 表1.

65 nm 和90 nm QDR 器件系列各自的特性 QDR II DDRII DDRII SIO QDRII+ QDRII+ DDRII+ DDRII+ DDRII+ SIO DDRII+ SIO 读延迟 ―

90 nm 和65 nm 1.5 1.5 1.5

2 2.5

2 2.5

2 2.5 写延迟 ―

90 nm 和65 nm

1 1

1 1

1 1

1 1

1 频率(突发长度为 4)

65 nm

333 MHz

333 MHz N/A

450 MHz

550 MHz

450 MHz

550 MHz N/A N/A

90 nm

300 MHz

300 MHz N/A

400 MHz

450 MHz

400 MHz

450 MHz N/A N/A 带宽[1] (突发长度为 4)

65 nm

48 Gbps

24 Gbps N/A

64 Gbps

80 Gbps

32 Gbps

40 Gbps N/A N/A

90 nm

44 Gbps

22 Gbps N/A

58 Gbps

64 Gbps

29 Gbps

32 Gbps N/A N/A Idd ― 有效电流[2,4] (突发长度 为4)

65 nm

850 mA

510 mA N/A

1100 mA

1310 mA

630 mA

740 mA N/A N/A

90 nm

1040 mA

900 mA N/A

1300 mA

1475 mA

950 mA

1050 mA N/A N/A Iddq ― I/O 切换 电流[3,4] (突发长度为 4)

65 nm

90 mA

90 mA N/A

120 mA

150 mA

120 mA

150 mA N/A N/A

90 nm

80 mA

80 mA N/A

110 mA

120 mA

110 mA

120 mA N/A N/A

65 nm

90 nm

65 nm 和90 nm

1 最大带宽 = 最大频率 x 数据速率 x 最大总线宽度 x 端口数量

2 上面指定的有效电流(以用于比较目的)是72M QDRII/DDRII/QDRII+/DDRII+ SRAM 的值.请访问下面的链接,参考其他密度 SRAM 的有效电流(Idd)相关产品数据手册: http://www.cypress.com/?id=95

3 上面指定的 I/O 切换电流用于进行比较.这些值都是根据 1.5 V Vddq、5 pF 加载电容、36 个开关 I/O 以及上面所述的最高频率得到.

4 要想计算 SRAM 的总功耗,请参考下面路径中介绍的工具:http://www.cypress.com/?docID=23984 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

65 nm 技术的优势 www.cypress.com 文档编号:001-92153 版本*A

2 表1.

65 nm 和90 nm QDR 器件系列各自的特性 QDR II DDRII DDRII SIO QDRII+ QDRII+ DDRII+ DDRII+ DDRII+ SIO DDRII+ SIO 频率(突发长度为 2)

65 nm

333 MHz

333 MHz

333 MHz

333 MHz

333 MHz

450 MHz

550 MHz

450 MHz

550 MHz

90 nm

300 MHz

300 MHz

300 MHz

300 MHz

300 MHz

400 MHz

450 MHz N/A N/A 带宽[1] (突发长度为 2)

65 nm

48 Gbps

24 Gbps

24 Gbps

48 Gbps

48 Gbps

32 Gbps

40 Gbps

64 Gbps

80 Gbps

90 nm

44 Gbps

22 Gbps

22 Gbps

44 Gbps

44 Gbps

29 Gbps

32 Gbps N/A N/A Idd ― 有效电流[2,4] (突发长度 为2)

65 nm

990 mA

640 mA

640 mA

990 mA

990 mA

820 mA

970 mA

820 mA

970 mA

90 nm

1215 mA

1020 mA

980 mA N/A

1150 mA

1420 mA

1420 mA N/A N/A Iddq ― I/O 开关电流[3,4] (突发 长度为 2)

65 nm

90 mA

90 mA

90 mA

90 mA

90 mA

120 mA

150 mA

120 mA

150 mA

90 nm

80 mA

80 mA

80 mA N/A