PDF《AN58815》

65 nm 技术的优势 www.cypress.com 文档编号:001-92153 版本*A

4 更低功耗和结温计算 功耗(Pd ) 使用下面的公式计算功耗: Pd = 内核功耗 + I/O 开关功耗 Pd = VDD IDD + α f CL VDDQ

2 N 其中: VDD = 内核电压 IDD = 工作电流 α = 活动因子,或者是输出的切换频率与时钟频率之间的比例 f = 工作频率 CL= 外部负载电容 VDDQ = I/O 电压 N = 正在切换的 I/O 的数量 表2显示了与

90 nm 器件相比

65 nm 器件所具有的优质额定功率. 表2.

65 nm 与90 nm QDR-II+器件之间的功耗比较

65 nm QDR-II+ SRAM (18 Mb) CY7C1165KV18-400BZC

90 nm QDR-II+ SRAM (18 Mb) CY7C1165V18-400BZC VDD = 1.8 V VDD = 1.8 V IDD =

850 mA IDD =

1080 mA α =

1 α =

1 f =

400 MHz f =

400 MHz CL=

5 pF CL=

5 pF VDDQ = 1.5 V VDDQ = 1.5 V N =

36 N =

36 因此: 因此: Pd = VDD IDD + α f CL VDDQ

2 N Pd = VDD IDD + α f CL VDDQ

2 N Pd = 1.8 V x

850 mA +

1 x

400 MHz x

5 pF x (1.5 V)

2 x

36 Pd = 1.8 V x

1080 mA +

1 x

400 MHz x

5 pF x (1.5 V )2 x

36 总功耗 =

1692 mW 总功耗 =

2106 mW 结温(TJ ) 使用下面的公式计算结温: TJ = Pd θJA + TA 其中: θJA 为结温热阻抗 TA 为环境温度 Pd 为功耗 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

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5 表3显示与

90 nm 器件相比,65 nm 器件具有更低的结温. 表3.

65 nm 与90 nm QDR-II+器件间的结温(TJ)比较

65 nm QDR-II+ SRAM (18 Mb) CY7C1165KV18-400BZC (165 BGA)

90 nm QDR-II+ SRAM (18 Mb) CY7C1165V18-400BZC (165 BGA) θJA = 18.96 °C/W θJA = 17.2 °C/W TA =

60 °C TA =

60 °C Pd =

1692 mW Pd =

2106 mW 因此: 因此: TJ = Pd θJA + TA TJ = Pd θJA + TA TJ = (1692m x 18.96) +

60 TJ = (2106m x 17.2) +

60 结温 = 92.08 °C 结温 = 96.22 °C 总结

65 nm 技术 QDR 器件系列提供的性能更好和带宽更大,几乎不需要对现有的电路板进行任何修改.与90 nm 技术器件相比,它 降低了功耗、输入/输出电容,改进了有效数据窗口,并通过使用片内终端器件提供了更好的信号完整性. 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

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6 文档修订记录 文档标题:AN58815 ― 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

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4346093 YLIU 04/26/2014 本文档版本号为 Rev**,译自英文版 001-58815 Rev*D. *A

4722950 LISZ 04/30/2015 本文档版本号为 Rev*A,译自英文版 001-58815 Rev*E. 与90 nm 技术 QDR? SRAM 系列相比

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