PDF《小能量试验推算碳化硅灭磁电阻满足温度条件的方法》

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0 ( #实用的碳化硅灭磁电阻的温度条件 具体实施中采用测量碳化硅灭磁电阻表面温 度! 并用表面最高温度为 C D '

o* 表 面最 大 温升 为C&

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m 考虑工程应用一般最高环境温度) '

o# 作 为判据,其依据是$ *组装好的碳化硅灭磁电阻无 法测量其内部温度- +实验室试验样品表面最高温 度达到C D T- ) o! 事后按照制造厂要求进行了直流 ('

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/ 耐压试验和小能量性能复测试验! 证明该 + D '

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* 试验样品可以继续使用- ,实验室试验样品分散布 置! 散热条件好! 碳化硅片的内外温度梯度大! 而现 场的碳化硅灭磁电阻布置在柜内! 散热条件差! 温度 梯度小! 在相同的最高表面温度下现场的碳化硅片 比试验室的碳化硅片有较低的内部温度,有关详细 说明见附录 [审稿人提出的问题及作者答复, $判断发电机配置碳化硅灭磁电阻是否满 足最大能量灭磁温度条件的方法 判断发电机配置碳化硅灭磁电阻是否满足最大 能量灭磁温度条件的发电厂现场试验在常规的发电 机空载额定分磁场断路器灭磁试验中进行,各个碳 化硅灭磁电阻组件串入直流电流变送器! 组件两端 接入直流电压变送器! 记录灭磁过程中各个电气量! 并且在试验前用热成像仪拍摄组件初始表面温度! 试验后组件表面温度达到最高时拍摄组件的表面温 度,计算各个组件耗散的能量和表面最大温升, 已知该发电机最严重情况下的灭磁电阻耗能! 按照耗能之比等于最大温升之比! 获得大能量下的 表面最大温升! 如小于C &

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m 则满足要求, C # 应用实例C$ 实验室大能量试验获得表面最 大温升和表面最高温度! 与小能量数据推导的大能 量下表面最高温度和表面最大温升进行比较, 已知实验室小能量试验得到的灭磁电阻耗能为 * (- C. S ! 表面最大温升为C C- Tm,大能量试验得到 的灭 磁电阻耗能为CC , ) . S ! 表面最大温升为C)'

- *m,由实验室小能量试验数据推导大能量下 的表面最大温升为C,*- ( m C C , ) '

* (- Ck C C- Tm# ! &

种方法表面最大温升相差C- )m! 说明由 小能量下数据推导大能量下表面最大温升的方法可 信, &

# 应用实例&

$ 嘉兴发电厂D号机空载额定灭 磁试验数据推导最大灭磁能量&

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. S下可否满足 表面最大温升小于C &

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m 的分析过程, 嘉兴发电厂D号机已经配置(组件碳化硅灭磁 电阻,试验灭磁能量C D ,. S ! 表面最大温升T- *m, 推算的最大灭磁能量下的表面最大温升为C C *- &

m T- *k&

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C D ,m# ! 小于C &

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m! 因此(组件并联 的碳化硅灭磁电阻可以满足C次或极少次最大能量 为&

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. S的灭磁要求, %结语 因碳化硅灭磁电阻温度分布极不均匀! 温度条 件实际上成为决定性条件,采用碳化硅灭磁电阻表 面最高温度C D '

o作为温度的判据,采用在相同散 热环境条件下碳化硅灭磁电阻耗能之比等于表面最 大温升之比的研究结论! 提出了采用现场发电机空 载额定灭磁试验数据估计最严重灭磁情况下碳化硅 灭磁电阻是否满足温度条件的方法, 附录见本刊网络版8::L###-