编辑: star薰衣草 | 2013-05-29 |
4 $ L A +
3 5 >
- ;
N
4 $ L A ;
8 3
5 @ $ _ -
4 A L _ 参考文献%C&
赵万明! 陈福山- 进口23B灭磁电阻存在问题及控制和检验措施- 电网与水力发电进展! &
'
'
O! &
) ( # $ ) , + ) D- U
60 F H
4 5 N
3 5 ? ! B
67 1G <
A
8 4 5- ! % R = $ N A#
3 :
83 N L % : $ @2
3 B @ $ N
4 ?
5 $ :
3 X
4 :
3 5% $ A
3 A :
4 5 ;
$4
5 @4 L L %
4 ;
8 $ A: @ $ : $ ;
:4
5 @;
5 : % = A <
;
8L % R = $ N A -0 @ Q
4 5 ;
$ A >
! # $ %2 M A : $ N ^
6 M @ % $ = $ ;
: %
3 ;
7 5 ?
3 5 $ $ %
3 5 ? ! &
'
'
O! &
) ( # $ ) , + ) D- % &
&
Y F [
7 Y I
2 F1S $ >
>
-K7 I Y F
2 W V
2 3 B 非线性电阻在灭磁系统中的应用'
'
第二届水力发电技术国际会议论文集! &
'
'
*年)月&
&
日! 北京$ O , &
+ O , O- % , &
大型发电机励磁系统
2 3 B 灭磁电阻试验研究课题组- 大型发电 机2
3 B灭磁电阻实验室试验与性能分析- 杭州$ 浙江省电力试验 研究院! &
'
'
O- 竺士章 C * ) D 男 通信作者 教授级高级工程师 主 要研究方向 发电机励磁系统控制 建模和试验 以及标准制 定7 + N
4 3 = M X X A X Q
3 L - A
3 5
4 - ;
N 陈新琪 C * D ) 男 硕士 高级工程师 主要研究方向 发电机励磁控制和电力系统分析7 + N
4 3 = ;
8 $ 5_
3 5 l
3 %
3 - A ? ;
;
- ;
N- ;
5 @ L ( / I &
,/ &
?
9 >
0 = >
9 / ( / I (L
9 O +
7 = 7J (
7 6 ( )
9 / = ) (&
:M + ?- (
7 9
4 3 ( / +
8 9 / + &
3N ( . + . /
9 3
0 ( : &
);
9 )
4 (P
3 ( )
4 DJ ( . /Q
9 . ( ,&
3M
7 9 >
>
P
3 ( )
4 DJ ( . /-
9 /
9 6$
5 $ % ? M4
5 @: $ N L $ %
4 : <
% $4 % $L % Q
3 @ $ @R M N
4 5 <
>
4 ;
: <
% $ % a W :3 AL % Q $ @R M$ _ L $ %
3 N $
5 : A:
8 4 ::
8 $ : $ N L $ %
4 : <
% $ >
2
3 B@ $ N
4 ?
5 $ :
3 X
4 :
3 5% $ A
3 A :
4 5 ;
$3 AN A :<
5 $ Q $
54 5 @:
8 $% $ l <
3 % $ N $
5 : >
: $ N L $ %
4 : <
% $3 A@ $ ;
3 A
3 Q $ a0 N $ :
8 @: ;
4 = ;
<
=
4 : $ :
8 $N
4 _
3 N <
N: $ N L $ %
4 : <
% $ >
2
3 B@ $ N
4 ?
5 $ :
3 X
4 :
3 5% $ A
3 A :
4 5 ;
$>
%=
4 % ? $$
5 $ % ? M4 R A % L :
3
53 AL % $ A $
5 : $ @R
4 A $ @ 5:
8 $ % $ =
4 :
3 5R $ : # $ $ 5:
8 $N
4 _
3 N <
NA <
% >
4 ;
$ : $ N L $ %
4 : <
% $%
3 A $ >
% $ A
3 A :
4 5 ;
$4
5 @$
5 $ % ? M;
5 A <
N $ @R M2
3 B@ $ N
4 ?
5 $ :
3 X
4 :
3 5% $ A
3 A :
4 5 ;
$ a I
8 $4 L L =
3 ;
4 :
3 5$ _
4 N L = $ >
:
8 3 AN $ :
8 @
3 A4 = A L % $ A $
5 : $ @ a C ( D'
&
) , . B
2 3 B@ $ N
4 ?
5 $ :
3 X
4 :
3 5% $ A
3 A :
4 5 ;
$ c : $ N L $ %
4 : <
% $ c ;
4 = ;
<
=
4 :
3
5 + T '
C + 工程应用竺士章! 等小能量试验推算碳化硅灭磁电阻满足温度条件的方法 附录 A 图A1 实验室对 D 组件进行大能量冲击后获得的表面温度分布 Fig. A1 Surface temperature distribution of the group D SiC resistance after large energy test 附录 B 审稿人提出的问题及作者答复 问题 1:实验室的碳化硅片内部温度应比现场更低,而不是更高?如果是,该因素是如何考虑的?是 现场实测吗? 作者答复:灭磁电阻热量自内部向外部传递,表面温度逐步上升,约1min~2min 达到最大,之后再 逐步降低.实验室试验时碳化硅灭磁电阻暴露在开放的环境中,其散热条件好;