编辑: 梦里红妆 | 2014-06-10 |
1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page6 6. 产品目录 6.1. 电气参数选择 ? SOT-23-6 封装 表
1、电气参数选择表 过充电检测电压 过充电释放电压 特性代码 参数 型号 VCU VCR - HY2213-AB3B 4.200±0.025V 4.200-0.035V,4.200+0.025V B HY2213-BB3A 4.200±0.025V 4.190±0.035V A HY2213-CB3A 4.180±0.025V 4.180-0.035V,4.180+0.025V A 备注:
1、表1中列出各电气参数的典型值,各电气参数的精度请参阅表 5.
2、特性代码对应的其它功能特性请参阅表 2.
3、需要上述规格以外的产品时,请与本公司业务部联系. 6.2. 特性代码-其它功能选择 表
2、特性代码-其它功能选择表 特性代码 OUT 有效动作 A 平衡控制 N-MOSFET;
OUT 输出状态 L?H 有效 B 平衡控制 P-MOSFET;
OUT 输出状态 H?L 有效 7. 封装、脚位及标记信息 ? SOT-23-6 封装 表
3、SOT-23-6 封装 脚位 符号 说明
1 NC 无连接
2 VDD 电源端,正电源输入端子
3 VSS 接地端,负电源输入端子
4 NC 无连接
5 NC 无连接
6 OUT 充电平衡,控制 MOSFET 门极连接端子 B:产品名称代码. #:序列号,按A~Z 顺序设定. 3:特性代码. &
:特性代码,按A~Z 顺序设定. XXXX:日期编码. . HY2213
1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page7 8. 电气特性 8.1. 绝对最大额定值 表
4、绝对最大额定值(VSS=0V,Ta=25℃,除非特别说明) 项目 符号 规格 单位 VDD 和VSS 之间输入电压 VDD VSS-0.3~VSS+10 V OUT 输出端子电压 VOUT VSS-0.3~VDD+0.3 V 工作温度范围 TOP -40~+85 ℃ 储存温度范围 TST -40~+125 ℃ 容许功耗 PD
250 mW 8.2. 电气参数 表
5、电气参数(VSS=0V,Ta=25℃,除非特别说明. ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压/耗电流 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1 - 1.5 -
8 V 工作电流 IDD VDD=3.9V - 2.5 3.5 μA 待机电流 ISB VDD=2.0V - - 0.5 μA 检测电压 4.0~4.5V,可调整 VCU -0.025 VCU VCU +0.025 V 过充电检测电压 VCU 4.0~4.5V,可调整 -5℃~55℃(*1) VCU -0.035 VCU VCU +0.035 V 3.8~4.5V,可调整 VCR≠VCU VCR -0.035 VCR VCR +0.035 V 过充电释放电压 VCR 3.8~4.5V,可调整 VCR=VCU VCR -0.035 VCR VCR +0.025 V 待机检测电压 VSB 2.3 2.7 3.1 V 延迟时间 过充电检测延迟时间 TOC VDD=3.9V→4.5V
200 250
300 ms 控制端子输出电压 OUT 端子输出高电压 VOUT_H VDD-0.1 VDD-0.02 - V OUT 端子输出低电压 VOUT_L - 0.1 0.5 V 说明:*
1、此温度范围内的参数是设计保证值,而非高、低温实测筛选. . HY2213
1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page8 9. 电池充电平衡 IC 应用电路示例 HY2213 R
5 C
5 HY2213 R
4 C
4 HY2213 R
3 C
3 HY2213 R
2 C
2 HY2213 R
1 C
1 R B1 R B2 R B3 R B4 R B5 HY2213 R
5 C
5 HY2213 R
4 C
4 HY2213 R
3 C
3 HY2213 R
2 C
2 HY2213 R
1 C
1 R B5 R B4 R B3 R B2 R B1 标记 器件名称 用途 最小值 典型值 最大值 说明 R1-5 电阻 限流、稳定 VDD、加强 ESD 100? 100? 200? *1 RB1-5 电阻 充电平衡泄流负载 *2 C1-5 电容 滤波,稳定 VDD 0.01μF 0.1μF 1.0μF *3 Q1-5 MOSFET 充电平衡控制 - - - *4 *
1、R1-5连接过大电阻,由于耗电流会在R1-5上产生压降,影响检测电压精度.当充电器反接 时,电流从充电器流向IC,若R1-5过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额 定值的情况发生. *