PDF《HY2213》

2、RB1-5连接过小电阻,当电池电压大于过充检测电压(VCU)时会使充电电流突然变大, 有可能导致充电过流现象使得系统回路发生保护而不能充电情况. *

3、C1-5有稳定VDD电压的作用,请不要连接 0.01μF以下的电容. *

4、依不同产品型号选用 N-MOSFET 或P-MOSFET. 注意: 1. 上述参数有可能不经预告而作更改,请及时到网站上下载最新版规格书.

网址:http://www.hycontek.com . 2. 外围器件如需调整,建议客户进行充分的评估和测试. . HY2213

1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page9 10.工作说明 10.1.正常工作状态 此IC持续侦测连接在VDD和VSS之间的电池电压,来控制充电平衡动作.当电池电压在 过充电检测电压(VCU)以上时,OUT端子输出低电平以控制P-MOSFET或者输出高电平以 控制N-MOSFET的导通;

或当电池电压在过充电释放电压(VCR)以下时,OUT端子输出高 电平以控制P-MOSFET或者输出低电平以控制N-MOSFET的关闭. 10.2.过充电状态 正常工作状态下的电池,在充电过程中,一旦电池电压超过过充电检测电压(VCU) ,并 且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时间(TOC)以上时;

或当电池电压低于过充释 放电压(VCR)以下时,HY2213 系列 IC会开启或关闭充电平衡控制用的MOSFET(OUT端子) ,这个状态称为 过充电状态 亦称为 充电平衡控制 . 过充电状态启用的充电平衡控制对于 MOSFET 的开启与关闭控制有如下两种选择: (1)选用 HY2213-xxxA 系列,采用 N-MOSFET 作为充电平衡控制 (a) 充电过程中,电池电压超过过充电检测电压(VCU) ,并持续的时间超过过充电 检测延迟时间(TOC)以上时,OUT端子电平会产生L?H变化以打开 N-MOSFET. (b) 充电过程中,电池电压低于过充释放测电压(VCR) ,OUT端子电平会产生H?L 变化以关闭N-MOSFET. (2)选用 HY2213-xxxB 系列,采用 P-MOSFET 作为充电平衡控制 (a) 充电过程中,电池电压超过过充电检测电压(VCU) ,并持续的时间超过过充电 检测延迟时间(TOC)以上时,OUT端子电平会产生H?L变化以打开 P-MOSFET. (b) 充电过程中,电池电压低于过充释放测电压(VCR) ,OUT端子电平会产生L?H 变化以关闭P-MOSFET. 10.3.待机状态 正常工作状态下的电池, 在放电过程中, 当电池电压降低到待机检测电压 (VSB) 以下时, 使IC耗电流减小到待机时的耗电流值,这个状态称为 休眠状态 .当电池电压降低到待机 检测电压 (VSB) 以下时, 使IC耗电流减小到待机时的耗电流值, 这个状态称为 待机状态 . . HY2213

1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page10 11.特性曲线(典型数据) 1.过充电检测电压/过充电释放电压及过充电延迟时间/待机检测电压 (1)VCU vs. Ta (2) VCR vs. Ta (3)TOC vs. Ta (4) VSB vs. Ta 2.耗电流 (1)IDD vs. Ta (2)ISB vs. Ta . HY2213

1 节锂离子/锂聚合物电池充电平衡 IC ? 2012-2015 HYCON Technology Corp www.hycontek.com DS-HY2213-V04_SC page11 12.封装信息 12.1.SOT-23-6 封装 说明:单位为 mm. ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS SYM BOL MINIMUM NOMINAL MAXIMUM A - 1.30 1.40 A1

0 - 0.15 A2 0.90 1.20 1.30 b 0.30 - 0.50 b1 0.30 0.40 0.45 b2 0.30 0.40 0.50 c 0.08 - 0.22 c1 0.08 0.13 0.20 D 2.90 BSC E 2.80 BSC E1 1.60 BSC e 0.95 BSC e1 1.90 BSC L 0.30 0.45 0.60 L1 0.60 REF L2 0.25 BSC R 0.10 - - R1 0.10 - 0.25 θ 0° 4° 8° θ1 5° - 15° θ2 5° - 15° . HY2213