PDF《四川某半导体芯片项目》

二、晶圆代工市场

三、发展趋势分析

第三节 国内晶圆行业市场分析

一、市场规模

二、产能分布

三、发展趋势分析

第四章 项目产品及工艺技术方案

第一节 项目产品方案

一、项目产品介绍

1、定义 四川某半导体芯片项目可行性研究报告案例 联系

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1118 室7晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为 晶圆;

在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构, 而成为有特定电性功能之 IC 产品.晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅.二氧化硅矿石 经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达 99.999999999%.

图表 16:晶圆产品 ……

二、产品分类

三、技术介绍

四、产能规划

第二节 项目工艺方案

一、主要设计原则

二、生产工艺流程选定 四川某半导体芯片项目可行性研究报告案例 联系

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1118 室8

三、生产工艺流程详解

第三节 项目设备方案

一、核心设备 项目核心设备包括单晶圆离子注入机、高度精确控制硅片位置片座、光刻系 统等.

图表 25:项目核心设备列表 设备图片示例 设备及系统介绍 单晶圆离子注入机 Optima XE 是一款用于 DRAM、 NAND 和NOR 闪存、 嵌入式存 储器和逻辑器件制造的高能离子注入机.它可以提供从

10 keV 到4MeV 范围的能量.该注入机将公司的 RF Linac 高能束斑技 术与高速、一流的单晶圆终端平台结合在一起.先进的束斑技 术可以保证在晶圆上所有离子束的角度相同,可以获得高质量 的工艺控制和最大化成品率. 高度精确控制硅片位置片座 VIISta Roplat 是为高倾斜角度离子注入设计的, 可用作高度精确 控制硅片位置的片座.Roplat 在X、Y 轴方向均可倾斜±60°,为 环圈式(halo)、SD、SDE 和象限式(quad)离子注入提供便 利.通过倾斜器的简单转动而使晶片重新移动和重新定位的方 法,即使 quad 离子注入,其产能也能维持在 300wph 以上.单 晶片静电晶座的倾斜角度变动可以控制在±0.2°以内, 使高电流、 中电流和高能量离子注入的入射角度变动降到最低水平. ……

二、配套设备

第四节 原辅材料方案

第五节 动力供应方案

第五章 项目选址及区位条件

第一节 项目选址要求

一、选址要求 四川某半导体芯片项目可行性研究报告案例 联系

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二、相关产业和支持产业分析

第二节 项目区位条件

一、自然地理概况

二、交通情况

三、地理人口

四、经济情况

第三节 项目选址合理性分析

第六章 项目总图布置方案

第一节 项目建设目标

第二节 项目建设指导思想

第三节 项目建设方案

一、总平面布置

二、道路及硬化

三、绿化

四、项目建设用地指标

第七章 辅助公用工程及设施

第一节 给排水系统

一、设计依据

二、供水 四川某半导体芯片项目可行性研究报告案例 联系