编辑: 我不是阿L 2016-01-31

0 后加 #7) Z 外磁场下进行!0 变温 +BCCDEF2G 透射谱的测量在等加速 +BCCDEF2G 谱 仪上进行, 放射源为 87$) [ #/ \] ). M@S%L源, 温度控 制采用循环液氦 PY15'

885Q$$ 型制冷机, 制冷端与 样品端采用高纯氦气作为导热气体! 用!

512 箔进行 定标, 用+@CC^3,,

)7# 软件进行解谱, 同质异能移 (W&

) 相对于!

512 的谱中心! '

7 结果及讨论 图 为纯 12%&

'

与嵌入化合物 12#78) %&

'

(+9) #7 的OPQ 谱图!较窄的衍射峰及 (## ) 面较强的衍射强 度说明两个化合物均有较好的结晶度及二维层状化 合物所特有的择优取向!从化合物 12#78) %&

'

(+9) #7 的 衍射谱图中可以看出, 对应于纯的 12%&

'

样品中 (## ) 面的衍射峰完全消失, 说明嵌入反应是完全 的, 没有未插入的 12%&

'

存在! 两个化合物的 OPQ 谱图均可用单斜晶系进行拟合,拟合计算的晶胞参 数分别为 12%&

'

: % * #7)8)7# #74.$ ,:, $* #.7 8U;

12#78) %&

'

(+9) #7 : % * #7/.8 ,:,&

* #78(7#.# ,:, $* (7.4U!因此, , 65二甲基5(, (65联吡啶阳离子嵌入 12%&

'

层间后, 导致层间距离增大 #7'

'

,:! 图$为嵌入化合物 12#78) %&

'

(+9) #7 的质量磁 化率随温度的变化曲线! 其质量磁化率与温度的乘 积随温度的变化%

5 曲线示于图 '

7 其磁化率曲线 $ # '

$ 期 戴耀东等: 嵌入化合物 12#78) %&

'

(+9) #7 的合成与磁性能研究 图!纯 #$%&

与嵌入化合物 (+,) '

(!! 的-./ 谱图 与纯 #$%&

化合物的磁化率曲线明显不同0 从! 1! 曲线中可以看出, 随着温度的下降, 质量磁化率缓慢 增加0而到

23 4 附近, 磁化率突然增加, 到5'

4 附近 处达最大值, 之后又迅速下降, 到6'

4 处磁化率降 为零0!!1! 曲线表现出同样的变化趋势0 据此, 该嵌 入化合物从室温冷却到液氦温度的过程中, 经历了 两级磁相变过程0 首先, 从顺磁到铁磁的相变, 然后 从铁磁到反铁磁的相变0 对!1! 曲线求微分, 得7!87!1! 曲线0

7 !9 7!1! 曲线上出现两个极大值点, 分别对应于温度 ! :

23 和6;

40 由此得到的顺磁到 铁磁的相变温度为 !<

:

23 4, 从铁磁到反铁磁的相 变温度为 != : 6;

40 图6嵌入化合物 (+,) '

(!! 的变温磁化率曲线 嵌入化合物 (+,) '

(!! 在3(6 和5'

4 处的

1 '

# 曲线分别示于图

3 和图 *0 3(6

4 处的

1 '

# 曲线近似为一条直线, 没有磁滞现象发生05'

4 处的

1 '

# 曲线显示一个良好的磁滞回线, 矫顽力 图&

嵌入化合物 (+,) '

(!! 的!!1! 曲线 剩磁 @ : 6(;

AB6 ・CDE !

0 磁滞回线给 出了此嵌入化合物在 5'

4 附近表现为铁磁性、 而在 液氦温度附近则表现为反铁磁性的有力证据0 图3嵌入化合物 (+,) '

(!! 在3(6

4 温度下的

1 '

# 曲线 图*嵌入化合物 (+,) '

(!! 在5'

4 温度下的磁滞回线 嵌入化合物 (+,) '

(!! 在!6―&

'

'

4 之间

6 6 '

&

物理学报*6 卷 几个温度点的 谱如图 ) 所示* 所有测量温 度点的 谱采用最小二乘法、 用+,('

-./0%- 曲线拟合, 所........

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