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liisemi.com 高性能开关电源次级同步整流控制器 澎湃驱动力 源于力生美 主要特点 u 内置 TrueWaveTM 实时波形追踪技术 u 支持开关电源 CCM/CrM/DCM 模式 u 高电流超快速图腾柱输出驱动电路 u 输出峰值驱动电流能力高达 1A u 极宽的工作电压范围 4.5V 至40V u 可5V 直接供电或由辅助绕组供电 u 内置高压隔离开关耐压高达 120V u 配合 LowRdsON MOS 构建理想二极管 u 无开关时静态工作电流可低至 0.2mA u 支持开关电源频率最高至 200kHz u 至简外围最低仅有

1 颗MOS 开关 u 占板面积极小的 SOT23-5 封装形式 应用领域 ? 高能效电源适配器 ? 多口 USB 充电器 ? 低压大电流开关电源 概述 LN5S03 是一颗高性能的开关电源次级侧同步整 流控制器集成电路, 可以方便地在应用中构建满足 CoC V5 及DoE

2016 等6级能效的低电压大电流 开关电源系统, 是理想的超低导通压降整流器件解 决方案.芯片内置了独特的 TrueWaveTM 全时波形 追踪技术,可支持高达 200kHz 的开关频率应用, 并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作模式 应用, 可在开关电源的每一个波形转换的边沿自动 快速打开或关闭外部的 LowRdsON MOSFET 器件, 利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基二 极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率, 大 幅降低了整流器件的温度, 可方便地实现低压大电 流的开关电源应用. 带电压钳位的大电流图腾柱驱动输出可直接用 于驱动外部的 MOSFET 器件, 最高可达 1A 的峰值 电流驱动能力可确保快速开通和关断外部的大电 流MOSFET 器件,获得优异的转换效能;

输出电压 钳位功能使得高供电电压下栅极仍然安全可靠. 芯片还内置了高压直接检测技术, 检测端子耐压 高达 120V,配合高达 40V 的供电电压范围,使得 控制器可直接使用高至 20V 的输出电压整流应用 中,极大拓展了可使用范围. 高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简 单, 在5V 输出直接供电的应用中, 只需搭配

1 颗MOSFET 即可构建一个完整的开关电源输出同步整 流应用. 可提供满足 RoHs 要求的标准 SOT23-5 封装. Fig1. 典型连接(5V 直接供电方式) Rev:C LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -2- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 内部功能框图 引脚定义 引脚功能描述 PIN 引脚名 功能说明

1 VDD 内部供电脚,连接退耦电容

2 PGND 接地脚,连接外部 MOSFET 源极

3 GATE 驱动输出脚,连接外部 MOSFET 栅极

4 VS 波形检测脚,连接外部 MOSFET 漏极

5 VCC 芯片供电脚 Fig3. 引脚定义 Fig2. 内部框图 SOT23-5 LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -3- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 极限参数 项目 参数 单位 VS 脚输入电压

120 V VS 脚输入电流 +1 to -30 * mA VCC 脚输入电压

40 V Other PIN 输入电压 -0.3 to

7 V PD 允许耗散功率

250 mW Min/Max 操作温度 TJ -40 to

150 ℃ Min/Max 储存温度 Tstg -55 to

150 ℃ Rθj-a

350 ℃/W ESD HBM 人体模式

2500 V MM 机器模式

250 V Note*: Only allow width is 1ms pulse and period is 1s. 推荐工作条件 符号 参数 最小 典型 最大 单位 VCC VCC 供电电压 4.5

40 V VS VS 峰值电压

120 V TAMP 工作环境温度 -20

100 ℃ 电气参数(无标注时均按 Ta=25℃) 供电电压 (VCC Pin) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 VCCON VCC 启动电压 VCC 从0V->