PDF《LN5S03》

VS 引脚的典型耐压能力为 120V,应用中 应避免施加大于 120V 的电压在该引脚,从而 避免过压损坏发生. GATE 输出驱动 芯片内置图腾柱驱动输出,同时具有电压 钳位功能,当VCC 电压高于 7.5V 时将自动 限制驱动输出电压幅度不大于 7.5V,从而避 免驱动输出电压过高造成 MOSFET 栅极过压 损坏. 内置的驱动电路具有 ±1A 的峰值电流 驱动能力,应用中应在 GATE 端子与 MOSFET 栅极之间串联必要的电阻网络,从而降低栅极 驱动速度,优化 EMI 指标,同时保持快速的 MOSFET 开关速度,保持良好的同步整流转换 效率,优化的栅极驱动电路如下图. fig10. 优化的栅极驱动网络 PCB 布线 应用中应保持合理的 PCB 布线方式,确 保芯片相关连接引脚具有尽可能短的路径. fig11. PCB 布线建议 fig12. PCB 布线示范 LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -7- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 典型应用电路

1 (用于 5V/3A PSR, 正反激供电方式) LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -8- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 典型应用电路

2 (用于 5V/4.8A SSR, 直接供电方式) LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -9- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 封装信息 SOT23-5 LN5S03 Copyright(C)

2016 Lii Semiconductor -10- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 订购信息 型号 绿色标准 封装 包装方式 LN5S03 Pb free SOT23-5 3000PCS/REEL 声明 力生美、 Lii semi、 等均为力生美半导体器件有限公司的商标或注册商标,未 经书面允许任何单位、公司、个人均不得擅自使用,所发布产品规格书之著作权均受相 关法律法规所保护,力生美半导体保留全部所有之版权,未经授权不得擅自复制其中任 何部分或全部之内容用于商业目的. 产品规格书仅为所描述产品的特性说明之用,仅为便于使用相关之产品,力生美半 导体不承诺对文档之错误完全负责,并不承担任何因使用本文档所造成的任何损失,本 着产品改进的需要,力生美半导体有权在任何时刻对本文档进行必要的修改,并不承担 任何通知之义务. 力生美半导体系列产品均拥有相关技术之自主专利,并受相关法律法规保护,未经 授权不得擅自复制、抄袭或具有商业目的的芯片反向工程,力生美半导体保留相关依法 追究之权利. 力生美半导体不对将相关产品使用于医学、 救护等生命设备所造成的任何损失承担 责任或连带责任,除非在交易条款中明确约定. 最新信息请访问: www.liisemi.com ........