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场效应晶体管 东莞市华索电子有限公司 http://www.

chinahaiso.com GFP 5N60 GFP 5N60 概述 GFP 5N60 是增强型 N 沟道功率场效应管,采用平面条形 DMOS 工艺生产制造. GFP5N60 具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击 穿能力,适合用于高效开关电源,电子镇流器等. 极限参数,除非另有规定,T=25℃ 参数 符号 额定值 单位 漏源反向击穿电压 BVDSS

600 V 连续漏极电流 ID 4.5 A 栅极电压 VGS ±30 V 雪崩能量 EAS

210 mJ 耗散功率 PD

100 W 储存温度 TSTG -55 --150 ℃ 热阻(结到壳) RθJC 1.25 ℃/W 正向压降 VSD 1.4 V

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2 场效应晶体管 东莞市华索电子有限公司 http://www.chinahaiso.com GFP 5N60

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2 参数名称 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 开启电压 VGS(th) 2.0 - 4.0 V VDS=VGS ID=250?A 栅源漏电流 IGSS - - ±100 nA VGS=±30V, VDS=0V 漏源漏电流 IDSS - -

10 ?A VDS=600V, VGS=0V 导通电阻 RDS(on) - 2.0 2.5 Ω VGS=10V , ID=2.25A 跨导 Gfs - 4.7 S VDS=40V , ID=2.25A 输入电容 Ciss -

515 670 输出电容 Coss -

55 72 传输电容 Crss - 6.5 8.5 pF VGS=0V,VDS=25V, F=1.0MHZ 导通延迟时间 td (on) - 16.5

45 上升时间 tr - 60.5

130 下降延迟时间 td (off) -

81 170 下降时间 tf - 64.5

140 ns VDD=300V,ID=7.5A, RG=25Ω 栅极存储电荷 Qg -

28 36 栅源电荷 Qgs - 4.5 - 栅漏电荷 Qgd -

12 - nC VDS=480V,VGS=10V, ID=7.5A,