PDF《DG10N65》

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.

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1 /11 http://www.jsdgme.com DG10N65 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG10N65是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东晨电子的相关专利技术,采用自对准平面工艺及先进 的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量.该产品能应用于多种功率开关 电路,使得电源能效更高,系统更加小型化. DG10N65 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongchen Electronics's proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for higher efficiency and system miniaturization. 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS VDSS

650 V ID

10 A RDS(ON) 0.75 Ω Crss

15 pF 符号 Symbol 封装 Package 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

2 /11 http://www.jsdgme.com 绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃) 参数名称 Parameter 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit 漏极-源极直流电压 Drain-SourceVoltage VDSS

650 V 连续漏极电流 ContinuesDrainCurrent ID Tc=25℃ 10* A Tc=100℃ 6* 最大脉冲漏极电流 (注1) PlusedDrainCurrent(note1) IDM

40 A 最高栅源电压 Gate-to-SourceVoltage VGS ±30 V 单脉冲雪崩能量(注2) SinglePulsedAvalancheEnergy(note2) EAS

500 mJ 雪崩电流 (注1) AvalancheCurrent(note1) IAR

10 A 重复雪崩能量(注1) RepetitiveAvalancheEnergy(note1) EAR

17 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速率(注3) PeakDiodeRecovery(note3) dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 PowerDissipation PD Tc=25℃ TO-220/TO-262

178 W TO-220F

50 耗散功率减额因子 PowerDissipationDeratingFactor PD(DF) Above 25℃ TO-220/TO-262 1.43 W/℃ TO-220F 0.4 最高结温及存储温度 OperatingandStorageTemperatureRange TJ,TSTG 150,-55~+150 ℃ 引线最高焊接温度 MaximumTemperatureforSoldering TL

300 ℃ 热特性 THERMAL CHARACTERIASTIC 参数名称 Parameter 符号 Symbol 最大 Max 单位 Unit 结到管壳的热阻 ThermalResistance,JunctiontoCase Rth(j-c) TO-220/TO-262 0.7 ℃/W TO-220F 2.5 结到环境的热阻 ThermalResistance,JunctiontoAmbient Rth(j-A) TO-220/TO-262 62.5 ℃/W TO-220F 62.5 * 漏极电流由最高结温限制 Draincurrentlimitedbymaximumjunctiontemperature 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

3 /11 http://www.jsdgme.com 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 关断特性 Off-Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 漏极-源极击穿电压 Drain-SourceBreakdownVoltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V

650 - - V 击穿电压温度特性 BreakdownVoltageTemperature Coefficient BVDSS/ TJ ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.7 - V/℃ 零栅压下漏极漏电流 ZeroGateVoltageDrainCurrent IDSS VDS=650V,VGS=0V,TC=25℃ - -

1 μA VDS=520V,TC=125℃ - -

10 正向栅极体漏电流 Gate-bodyleakagecurrent,forward IGSSF VDS=0V,VGS =30V - -

100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-bodyleakagecurrent,reverse IGSSR VDS=0V,VGS=-30V - - -100 nA 通态特性 On-Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 阈值电压 GateThresholdVoltage VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 2.0 - 4.0 V 静态导通电阻 StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(ON) VGS=10V,ID=5.0A - 0.75 0.85 Ω 正向跨导 ForwardTransconductance gfs VDS =40V,ID=5.0A(note4) - 8.0 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 输入电容 Inputcapacitance Ciss VDS=25V,VGS =0V,f=1.0MHZ -