PDF《DG10N65》

1370 2100 pF 输出电容 Outputcapacitance Coss -

145 170 pF 反向传输电容 Reversetransfercapacitance Crss -

15 23 pF 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

4 /11 http://www.jsdgme.com 开关特性 Switching Characteristics 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 延迟时间Turn-Ondelaytime td(on) VDD=325V,ID=10A,RG=25Ω (note4,5) -

40 82 ns 上升时间Turn-Onrisetime tr -

90 182 ns 延迟时间Turn-Offdelaytime td(off) -

148 296 ns 下降时间Turn-OffFalltime tf -

96 195 ns 栅极电荷总量TotalGateCharge Qg VDS =520V,ID=10A,VGS =10V (note4,5) -

50 65 nC 栅-源电荷Gate-Sourcecharge Qgs -

8 - nC 栅-漏电荷Gate-Draincharge Qgd -

15 - nC 漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 参数名称 Parameter 符号 Symbol 测试条件 TestsConditions 最小 Min 典型 Type 最大 Max 单位 Unit 正向最大连续电流 MaximumContinuousDrain-Source DiodeForwardCurrent IS - -

10 A 正向最大脉冲电流 MaximumPulsedDrain-SourceDiode ForwardCurrent ISM - -

40 A 正向压降 Drain-SourceDiodeForwardVoltage VSD VGS=0V,IS=10A - - 1.4 V 反向恢复时间 Reverserecoverytime trr VGS=0V,IS=10A dIF/dt=100A/μs(note4) -

418 - ns 反向恢复电荷 Reverserecoverycharge Qrr - 3.4 - μC 注释: 1:脉冲宽度由最高结温限制 2:L=9.3mH, IAS=10A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25℃ 3:ISD ≤10A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, 起始结温TJ=25℃ 4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2% 5:基本与工作温度无关 Notes: 1:Pulse width limited by maximum junction temperature 2:L=9.3mH, IAS=10A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃ 3:ISD ≤10A, di/dt ≤300A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4:Pulse Test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2% 5:Essentially independent of operating temperature 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

5 /11 http://www.jsdgme.com 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 图1. 输出特性曲线 图2. 传输特性曲线 Fig.

1 On-State Characteristics Fig.

2 Transfer Characteristics 图3. 击穿电压随温度变化曲线 图4. 导通电阻随温度变化曲线 Fig.

3 Breakdown Voltage Variation vs Temperature Fig.

4 On-Resistance Variation vs Temperature 图5. 电容特性曲线 图6. 栅电荷特性曲线 Fig.

5 Capacitance Characteristics Fig.

6 Gate Charge Characteristics 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

6 /11 http://www.jsdgme.com 图7. 最大安全工作区 图8. 最大漏极电流随温度变化曲线 Fig.

7 Maximum Safe Operating Area Fig.

8 Maximum Drain Current vs Case Temperature 图9. 瞬态热响应曲线(TO-220/TO-262) Fig.

9 Transient Thermal Response Curve(TO-220/TO-262) 图10. 瞬态热响应曲线(TO-220F) Fig.

10 Transient Thermal Response Curve(TO-220F) 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

7 /11 http://www.jsdgme.com 测试电路及波形 TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS 图11. 开关特性测试 Fig.11 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms 图12. 栅电荷测试 Fig.12 Gate Charge Test Circuit & Waveform 图13. 雪崩能量测试 Fig.13 Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806

8 /11 http://www.jsdgme.com 封装尺寸 TPACKAGE MECHANICAL DATA 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd 86-510-87136806