PDF《封装：TO-3P》

1 /8 符号额定值 单位V(BR)CES

1200 V IC

20 A VCE(sat) 2.

2 V DG20N120 绝缘栅双极型晶体管 版本号:V1.0 产品概述 产品概述 产品概述 产品概述 IGBT既有功率MOSFET输入阻抗高,控制功率小,易于驱动,控制简单的特点,又有双极晶体 管的导通电压低,通态电流大,损耗小的显著优点.在提倡节能减排、低碳经济的时代,具 备节能效率高,便于规模化生产等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术. 产品特点 产品特点 产品特点 产品特点 采用NPT技术 高开关速度:tf = 170ns 低饱和压降:VCE(sat) = 2.15V @ Ic=20A 高输入阻抗 热稳定性好 应用领域 应用领域 应用领域 应用领域 主要用于感应加热领域,如电磁炉. 特征参数 特征参数 特征参数 特征参数 极限值 极限值 极限值 极限值 除非另有规定,Ta=25℃ 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极击穿电压 VCE

1200 V 连续集电极 IC

20 A 脉冲集电极电流 ICpuls

50 A 栅-发射极电压 VGE ±30 V 耗散功率 TC=25℃ PD

170 W 工作温度范围 TJ -55 to +150 ℃ 贮存温度范围 TSTG -55 to +150 ℃ 封装 封装 封装 封装: : : :TO-3P

2 /8 电参数 电参数 电参数 电参数 除非另有规定,Ta=25℃ 规范值 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 V(BR)CES 集电极-发射极击穿电 压VGE=0 IC=1000uA

1200 V ICES 集电极-发射极泄漏电 流VGE=0 VCE=1200V

180 uA IGSS 栅极-发射极泄漏电流 VCE=0 VGE=20V

100 nA VGE(th) 开启电压 VGE=VCE, ID=600uA 3.0 6.0 V VCE(sat) 集电极-发射极饱和压 降VGE=15V, IC=20A 2.2 2.8 V Ciss 输入电容

1350 1650 pF Coss 输出电容

100 120 pF Crss 反向恢复电容 VCE=25V, VGE=0, f=1MHz

65 80 pF Qg 栅电荷 Vcc=960V IC=20A VGE=15V

186 240 nC td(on) 导通延时

38 50 ns tr 上升时间

26 40 ns td(off) 关断延时

240 350 ns tf 下降时间

170 230 ns Eon 开启能量 2.2 2.6 mJ Eoff 关断能量 VCC=800V, IC=20A, RG=33 ? 感性负载 0.92 1.2 mJ td(on) 导通延时

40 55 ns tr 上升时间

28 45 ns td(off) 关断延时

242 365 ns tf 下降时间

178 250 ns Eon 开启能量 2.4 2.7 mJ Eoff 关断能量 VCC=800V, IC=20A, RG=33 ? TC=150℃ 感性负载 0.98 1.3 mJ VFM 二极管正向压降 IF=20A 1.8 2.5 V trr 二极管反向恢复时间

230 330 ns Irr 二极管反向峰值电流

29 40 A Qrr 二极管反向恢复电荷 IF=20A dI/dt=200A/ us

2930 6750 nC

3 /8 典型特性曲线 典型特性曲线 典型特性曲线 典型特性曲线 集电极电流与开关频率的关系曲线 安全工作区 输出特性曲线(TC=25℃) 输出特性曲线(TC=150℃) 传输特性曲线 集电极-发射极饱和压降与 结温的关系曲线

4 /8 栅电荷特性曲线 电容与集电极-发射极电压关系曲线 (IC=15A) (VGE=0V f=1MHZ) 附录 附录 附录 附录: : : :封装尺寸 封装尺寸 封装尺寸 封装尺寸

5 /8 SYMBOL Value Unit V(BR)CES

1200 V

20 VCE(sat) 2.2 V DG20N120 IGBT Version No.:V1.0 General Description IGBT has been the major switching device in power electronic applications as it has the merits of both power bipolar and power MOSFET. It has been widely used in high voltage field, which ranges from industrial areas such as inverters, high voltage switch, and motor operation to PDP or home appliance. Features Employing NPT technology High speed switching:tf = 170ns Low saturation voltage:VCE(sat) = 2.15V @ Ic=20A High input impedance Applications Induction Heating Characteristic parameter IC A Maximum Ratings Tc=25℃, unless otherwise specified PARAMETER SYMBOL Value Unit Collector-emitter voltage VCE