PDF《SGT20N60NPFDF 说明书》

SGT20N60NPFDF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.

3 http: //www.silan.com.cn 共7页第1页20A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT20N60NPFDF 绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop)工 艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于 UPS,SMPS 以及PFC 等领域. 特点 ? 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.8V@IC=20A ? 低导通损耗 ? 快开关速度 ? 高击穿电压 ? 低Cres/Cies 比 命名规则 SGT

20 N E

60 F IGBT产品系列名称 电流值,20表示20A N Channel E:表示有带ESD 空白:表示不带ESD 电压值:120表示1200V NP:表示NPT工艺 P: 表示PT工艺 T: 表示Trench工艺 空白: 表示非Trench工艺 F: 表示采用了Field stop工艺 空白: 表示非采用Field stop工艺 D: 表示内置了FRD 空白: 表示没有内置了FRD 表示封装形式,如F表示TO-220F封装形式 产品规格分类 产品名称封装形式 打印名称 材料 包装 SGT20N60NPFDF TO-220F-3L 20N60NPFD 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数符号参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE

600 V 栅极-射极电压 VGE ±20 V 集电极电流 TC=25?C IC

40 A TC=100?C

20 集电极脉冲电流 ICM

80 A 耗散功率(TC=25?C) - 大于 25?C 每摄氏度减少 PD

32 W 0.23 W/?C 工作结温范围 TJ -55~+150 ?C SGT20N60NPFDF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: //www.silan.com.cn 共7页第2页贮存温度范围 Tstg -55~+150 ?C 热阻特性 参数符号参数范围 单位 芯片对管壳热阻(IGBT) RθJC 2.9 ?C/W 芯片对管壳热阻(FRD) RθJC 5.5 ?C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 42.5 ?C/W IGBT 电性参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数符号测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V, IC=1mA

600 -- -- V 集射漏电流 ICES VCE=600V, VGE=0V -- --

200 uA 栅射漏电流 IGES VGE=20V, VCE=0V -- -- ±400 nA 栅极开启电压 VGE(th) IC=250uA, VCE=VGE 4.0 5.5. 7.0 V 饱和压降 VCE(sat) IC=20A, VGE=15V -- 1.8 2.5 V IC=20A, VGE=15V, TC=125?C -- 2.1 -- V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz --

812 -- pF 输出电容 Coes --

120 -- 反向传输电容 Cres --

40 -- 开启延迟时间 Td(on) VCE=300V IC=20A Rg=24Ω VGE=15V 感性负载 --

12 -- ns 开启上升时间 Tr --

48 -- 关断延迟时间 Td(off) --

109 -- 关断下降时间 Tf --

118 -- 导通损耗 Eon -- 0.61 -- mJ 关断损耗 Eoff -- 0.19 -- 开关损耗 Est -- 0.8 -- 栅电荷 Qg VCE = 390V, IC=20A, VGE = 15V --

46 -- nC 发射极栅电荷 Qge --

7 -- 集电极栅电荷 Qgc --

27 -- FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数符号测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=12A, TC=25?C -- 1.9 2.6 V IF=12A, TC=125?C -- 1.5 -- 二极管反向恢复时间 Trr IES=12A, dIES/dt=100A/μs --

32 -- ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IES=12A, dIES/dt=100A/μs --

31 -- nC SGT20N60NPFDF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: //www.silan.com.cn 共7页第3页典型特性曲线 SGT20N60NPFDF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: //www.silan.com.cn 共7页第4页典型特性曲线(续) SGT20N60NPFDF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: //www.silan.com.cn 共7页第5页典型特性曲线(续) 反向恢复电荷 - Qrr(nC) 正向电流 - IF(A) 图16. 反向恢复电荷vs.正向电流

0 60

0 5

30 40

25 15

10 20

50 10

20 di/dt=100A/μs di/dt=200A/μs

30 开关损耗 - E(μJ) 集电极电流 C IC(A) 图14. 开关损耗 vs. 集电极电流 图13. 开启特性 vs.集电极电流 开关时间 (nS)