PPT《第四章》

靠近源端厚,靠近漏端薄. 增强型MOSFET的工作原理 当vDS增大到一定数值(例如vGD = vGS-vDS= VT ),靠近漏端被夹断, vDS继续增加,将形成一夹断区.和JFET相类似,沟道被夹断后, vDS上升, iD趋于饱和. * 特性曲线 N沟道增强型MOSFET的输出特性和转移特性如图.在恒流区内,N沟道增强型MOSFET的iD可近似地表示为 * ID0是vGS =2VT时的iD值. N沟道耗尽型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型基本相同.但在制造时,由于在二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子,即使在vGS =0时,由于正离子的作用,也能在源区和漏区的中间P型衬底上感应出较多的负电荷,形成N型构道,将源区和漏区连通起来. * 在栅源电压为零时,在正的vDS作用下,也有较大的漏极电流iD由漏极流向源极.若栅源电压vGS为负,则使沟道中感应的负电荷减少,从而使漏极电流减小,这与JFET相类似,所以称它为耗尽型. 两种N沟道耗尽型FET比较 N沟道JFET在负的vGS 下工作 ,当vGS >

0时,将使PN结处于正向偏置,产生较大的栅流,破坏了它对漏极电流iD的控制作用.N沟道耗尽型MOSFET在vGS >

0时,由于绝缘层的存在,并不........