PDF《营运概况》

5 奈米制程技术 虽然半导体产业逼近矽晶之物理极限,5 奈米制程仍遵 循摩尔定律,显著地提高晶片密度,在相同的功耗下提 供更好的效能,或在相同的效能下提供更低的功耗.民 国一百零七年,台积公司持续进行

5 奈米制程之全面开 发,专注於基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效 能改善,以及可靠性评估.静态随机存取(SRAM)记 忆体及逻辑电路之良率均符合预期,台积公司致力达成 民国一百零八年进入试产的目标.

3 奈米制程技术 民国一百零七年,为支援行动应用及高效能运算装置,

3 奈米鳍式场效电晶体技术(FinFET)的开发展现了 良好的进展.相较於

5 奈米 FinFET 制程技术,3 奈米 FinFET 制程技术预期将提供优越的速度、功耗、密度、 以及成本的改善. 微影技术 民国一百零七年微影技术研发的重点在於

7 奈米强效版 的技术转移、5 奈米技术的开发、及3奈米与

3 奈米以 研发支出 民国

107 年 民国

106 年 民国108年1月1日至 民国108年2月28日 金额:新台币仟元 80,732,463 85,895,569 13,078,088

74 75 先进导线技术 台积公司在先进导线时间延迟递减的晶片效能方面有显 著的进展.崭新的穿孔制程可将穿孔阻值降低百分之 三十,并维持一致的晶片可靠性与性能.除此之外,新 颖的材料与最佳化的整合制程也已验证可降低电容负 载、强化元件的可靠性.台积公司客户能够藉由采用先 进导线时间延迟的重大改善来提升竞争力. 先进技术研究 电晶体结构及材料的创新持续改善先进逻辑技术的效能 并降低功耗.台积公司在电晶体的研究一直走在业界前 端.民国一百零七年,台积公司在国际电子元件会议 (International Electron Device Meeting, IEDM) 发 表了业界第一的高效能互补金属氧化物半导体锗闸极堆 叠技术、创最低纪录的锗电子接面电阻、以及垂直堆叠 的闸极环绕奈米线锗电晶体.台积公司持续寻找人工智 慧和高效能运算的硬体加速器,也在民国一百零七年举 行的国际电子元件会议中发表整合在

40 奈米互补金属 氧化物半导体技术的相变化记忆体,证明它是一个可以 被应用在人工智慧的重要技术.台积公司的先进技术研 究可望为持续密度微缩、提升效能、降低功耗铺路,提 供先进逻辑技术以支援行动与高效能运算应用. 特殊制程技术 台积公司提供多样化的新制程技术以协助客户广泛解决 各类产品的应用: 混合讯号/射频技术 民国一百零七年,为了实现第五代先进无线技术对於收 发器电路设计的需求,台积公司在

16 奈米、22 奈米及

28 奈米元件成功提供了多样选项,采用以矽为基础的 毫米波模型来满足客户对於跨功能整合晶片设计的各种 应用.为了在特殊制程中达到更佳的讯号隔离度及低插 入损耗的效能来支援手机/ Wi-Fi 射频切换器的应用, 台积公司提供

40 奈米制程,使得导通电阻与断电容的 乘积降至约

78 飞秒,成为较低成本的替代解决方案. 电源 IC /双极―互补金属氧化半导体―双重扩散金属 氧化半导体(BCD)技术 台积公司开发独特的

90 奈米 BCD 技术,提供领先的 5-16 伏功率元件,以极具成本优势的制程,整合高密 度的

90 奈米逻辑电路,提供下一世代的行动装置电源 管理晶片解决方案.台积公司持续丰富此 BCD 制程平台 以涵盖更多的电源管理晶片应用,首次透过