编辑: 山南水北 | 2017-05-11 |
1 、 覆盖从0.3? m 到0.11?m 的各个技术节 点;
2、包含 eFlash、 EEPROM、MTP、OTP 与eFuse 等各种类型的 储存技术;
3、可以提供 定制化的服务 0.11?m 嵌入式 pFlash 低功耗工艺平台 国内先 进 大批量 生产 自主研 发0.11?m 嵌入式 pFlash 超低功耗工艺平台 国内先 进 小批量 生产 自主研 发0.11?m 嵌入式 EEPROM 低功耗工艺 平台 国内先 进 大批量 生产 自主研 发28英寸电 源管理工 艺平台
1、覆盖从 0.35? m 到0.18?m 的各个技术节 点;
2、支持大范围的电 压5V~80V;
3、低导通 电阻,高可靠性;
4、可 以提供定制化服务 0.18?m 低导通电阻 BCD 工艺 国际先 进 客户导 入 自主研 发38英寸嵌 入式高压 工艺平台
1、覆盖从 0.35? m 到0.11?m 的各个技术节 点;
2、提供最广泛的嵌 入式高压解决方案(eHV);
3、灵活可选的 工艺组件,如高效能、 低功耗,可以提供定制 化服务;
4、覆盖LDDI/SDDI/TDDI 0.11?m 嵌入式 HV 工艺国际先 进 大批量 生产 0.11?m 为技术 授权, 其 他为自 主研发
4 8 英寸逻 辑与模拟 信号工艺 平台
1 、 覆盖从0.5? m 到0.11m 的各个技术节点;
2、提供完整的 IP 数据库以及免费的设计 单元资料库;
3、覆盖逻 辑、模拟信号、指纹辩 识、影像感测、射频 0.11?m 逻辑与模拟信 号工艺平台 国内先 进 大批量 生产 0.11?m 为技术 授权, 其 他为自 主研发
5 8 寸功率 半导体工 艺平台
1、产品平台包含 Planar MOS, LDMOS,Trench MOS;
2、客制化平台, 灵活调整,满足客户需 求0.2?m Trench , Split Gate 工艺平台 国内先 进 大批量 生产 自主研 发612 英寸逻 辑/模拟工 艺平台 _40nm
1、低功耗,高性价比;
2、 提供完整的 IP 数据库 以及免费的设计单元资 料库;
3、灵活可选的组 件,可以提供定制化的 服务
40 LP 低功耗逻辑工艺 平台;
40uLP 超低功耗 逻辑工艺平台;
相关 40nm 射频、CMOS 工 艺平台 国际先 进 大批量 量产 技术授 权基础 上进行 定制化 开发 3-1-3-4
7 12 英寸逻 辑/模拟信 号工艺平 台_28nm
1、高效能与低功耗;
2、 具备高介电系数/金属 闸极堆栈及丰富的组件 电压选项;
3、提供完整 的IP 数据库以及免费的 设计单元资料库;
4、覆 盖应用产品处理器、手 机基频、WLAN、网通 IC 28LP/HLP 多晶硅闸 极(SiON Gate)工艺 平台;
28HPM/HPC/HPC+ 后 闸极高介电常数闸极 (HKMG)工艺平台;
相关28nm射频 CMOS 工 艺平台 国际先 进 大批量 生产 技术授 权基础 上进行 定制化 开发
8 12 英寸嵌 入式非易 失性存储 工艺平台
1、速度快,可靠性高;
2、提供定制化的服务;
3、 覆盖 Smart Card、 IoT、 车用 MCU 55nm 嵌入式 Flash 工 艺平台 国内先 进 客户导 入 技术授 权912 英寸嵌 入式高压 工艺平台
1、提供最广泛的嵌入式 高压解决方案(eHV);
2、 灵活可选的工艺组件;
3、覆盖 SDDI/TDDI/AMOLED 80nm/40nm 嵌入式 HV 工艺 国内先 进 开发中 技术授 权基础 上进行 定制化 开发
(四)研发水平 公司研发工作主要集中于提供广度与深度先进且独特的工艺技术组合、 强大 的客户支援服务及灵活、且适应性的制造技术. 公司主要从事
12 英寸及
8 英寸专业晶圆研发制造业务.自成立以来就专注 于集成电路制造领域,通过不断的研发与创新来提升自身的技术储备.发行人研 发项目均主要依靠自身科研团队开展, 研发的重点是通过技术创新以实现差异化 策略, 扩大核心竞争优势.研发过程重视完整的计划和有效的执行, 同时考虑品 质与成本, 为公司和客户创造最大的价值.此外,发行人从自身实际出发,有 计划、有步骤的推进与国内科研机构、大专院校合作研发,充分利用外部的研发 力量扩充自身的科研实力,引入最新的科学技术转化为自身生产力.解决集成电 路制造领域的关键技术问题, 提高企业自主创新能力和集成电路制造领域核心竞 争力. 发行人的技术中心设置了从制程开发、制程应用到质量研究、项目申报一套 完整的研发体系, 成为发行人研发和创新的有力保障. 发行人在培养高层次人才、 开放合作、国内外交流等方面进行积极探索和实践,同时,发行人建立了良好的 激励机制,鼓励员工在工作中不断创新,提升企业集成电路制造研发和生产工艺 水平. 3-1-3-5 通过多年的发展,公司在晶圆研发制造方面积累了先进的技术和经验,在国 内外拥有发明专利