PDF《半导体上行周期已至,龙头有望受益》

2 季度半导体需求相比

1 季度均会有明显的提振,这是 受库存调整影响,今年全行业低于预期的地方. ? 指纹识别 0.18 微米制程和 40nm 营收表现不如去年:业绩低迷来自公司层面 的原因是:去年增长最大的两个制程,一是指纹识别采用的 0.18 微米制程, 二是中高端芯片客户采用的 40nm 制程,今年这两大制程均遭遇了瓶颈.指 纹识别这块由于大客户市场被挤压,影响公司

8 寸线产能利用率不高;

40nm 制程这块,由于高端产品由 40nm 转移到 28nm,公司 40nm 收入有所下降, 而28nm 没有很好衔接上.在此影响下,2017 年上半年公司实现营收 15.44 亿美元,同比增长 16.4%;

实现归属上市公司股东净利润为 1.06 亿美元,同 比下降 33.3%.营收同比增速低于市场预期的 20%,且因为折旧的增加、费 用的增长,净利润出现同比下滑. ? 受益于并购 Lfoundry,0.13 微米制程营收维持高速增长:今年上半年 0.13 微米营收同比增长 90%,主要是由于并购了 Lfoundry.Lfoundry 的主要制程 是0.11-0.13 微米,专门做的是车载摄像头芯片.Lfoundry 90%以上都是做的 汽车电子,设备是全产品线的,有着固定的客户、市场、技术.Lfoundry 现 在产能利用率 80%,购买的时候只有 60%.Lfoundry 保持了原来的团队,目 前派了一个整合团队过去,作为汽车电子的研发中心,长期是想把生产线引 入中国. ? 主攻 28nm,今年营收占比将达到高个位数:28nm 有两个版本,一个是 Polysion,另一个是 HKMG.两者都是平面的,Polysion 相对简单,性能没有 太大的提高. HKMG 则分为 HKC 和HKC plus, HKMG 分为两款是台积电领 先的竞争策略,希望多一个子世代,来领先追赶者更长的时间.中芯预计

4 季度开始出货 HKC,而性能更好集成度更高的 HKC plus 明年下半年才会推 出,目前真正成熟的 HKC plus 只有台积电一家.今年中芯国际全年 28nm Polysion 和HKC 营收占比将达高个位数.公司现在主力攻 28nm, 28+40nm 产能现在上海有

2 万片,北京有 2.3 多万片/月,总共 4-4.5 万片/月.Polysion 良率已经处于正常状态, 但在主流

28 纳米 HKMG 方面, 良率仍需持续提升. 请阅读最后一页信息披露和重要声明 -

3 - 海外跟踪报告(评级) 2016Q1-2017Q2 中芯国际晶圆代工分制程营收分析(万美元) 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16

2016 全年 1Q17 2Q17 2017H1

28 纳米

254 414

1085 2852

4604 3965

4958 8923 YOY 1458% 2415% 1463% 1097% 1236% 40/45 纳米

12496 15944

17511 19229

65181 15862

14348 30209 YOY 53% 91% 97% 90% 83% 27% -10% 6% 55/65 纳米

13701 14081

16117 16133

60032 17448

17728 35176 YOY 3% 2% 27% 10% 10% 27% 26% 27%

90 纳米

2093 1588

1705 1304

6689 1031

1052 2083 YOY -11% -39% -32% -26% -28% -51% -34% -43% 0.11/0.13 微米

6407 6764

9841 12059

35070 12214

12845 25059 YOY 23% 14% 56% 102% 49% 91% 90% 90% 0.15/0.18 微米

26324 28161

28824 27866

111175 26727

22085 48812 YOY 30% 29% 17% 5% 19% 2% -22% -10% 0.25/0.35 微米

2157 2071

2402 2037

8666 2062

2103 4165 YOY 24% -3% 17% 24% 15% -4% 2% -1% 合计

63431 69022

77485 81480

291418 79309

75119 154428 YOY 24% 26% 36% 34% 30% 25% 9% 17% 数据来源:公司财报,兴业证券研究所 中芯国际产线汇总 Fab 技术世代

2017 平均月产能

2017 年底月产能目标 设计月产能 上海 12'

'

45nm and below 20K 20K 20K 北京 12'

'

55-90nm,0.13μm 50K 50K 50K 北京 JV12'