PDF《亚太地区半导体产业》

1 晶片

1 晶片

2 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 载具 晶粒 载具 晶粒 玻璃基板 晶粒 玻璃基板 晶粒 晶粒 载具 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 载具 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒 晶粒重组 晶圆模封 黏贴至载体 RDL 成形 球体附著 去框 晶圆研磨与切割 panel process 增层制程 最终制程 台湾:半导体 2016-04-12 亚太地区半导体产业 第8页,共39 页 整体而言,挑敕胖靡约澳７庀喙匾滴裨 FOWLP 中将较具附加价值,而这项 新封装技术普及将降低基板用量,对基板供应商造成威胁. FOWLP 的优点 如前文所述,FOWLP 自2009 年以来已进入量产,但早期 eWLB 仅用於微机电 系统与无线电晶片,系因该技术尚未成熟,无法全面普及.经过数年的研发后, 该技术已有进步,目前台积电将率先采用这项技术,以自家 FOWLP 制程生产用 於Apple 新机的 A10 处理器.简言之,FOWLP 技术的优点包括 I/O 数较高、 成本较低、体积较小、散热与电路效能较佳且相容性较高. 以目前的主流 FCBGA 封装技术而言,基板内建金属线的间距已达极限,因此难 以进一步提高 I/O 密度.但不同於 FCBGA,FOWLP 采用微影技术建置 I/O,因 此可轻易达到更小、更细的间距.此外,FOWLP 技术可藉由模封材料在晶粒四 周形成额外区域以容纳更多 I/O.在所有封装技术中,FOWLP 可在行动晶片封 装尺寸达到最高 I/O 数 (参见图 10,类似封装尺寸比较图). 图10:不同封装技术在相近尺寸之效能比较表 导线架 WBBGA FCBGA FOWLP 封装尺寸 13mmx13mm 15mmx15mm 13mmx13mm 13mmx13mm I/O 数180

196 961

1400 封装成本 低高高中封装厚度 0.35-3.93mm 1.1mm 0.8mm 0.4mm 装置效能 极低 低中高散热 低中中高资料来源:Amkor、STATSChipPAC、台积电 此外,FOWLP 封装技术已不需要 IC 基板.FCBGA 封装技术采用昂贵的 IC 基板 以连接 IC 与印刷电路板,这也是一种「扇出型」封装,可利用基板内建的金属 线,将I/O 从有限的晶片区域扩大至面积较大的基板.而若改采 FOWLP 技术, I/O 及金属线则位於晶粒表面及模封材料形成的额外区域.由於基板占 FCBGA 封装总成本的 30-40% (更先进技术制程成本占比甚至更高),因此 FOWLP 技术 虽然需要额外的制程步骤 (包括模封等,参见图 11),但撙节成本的效益显著. 此外,不同於传统封装技术只能一次完成一个封装,FOWLP 的批次式制程表示 在重组晶圆上的所有晶粒均可同时加工,就像晶圆代工的前段制程.此可降低成 本、加快晶片制造周期,在制程........